Gan Template Grow Application SSP Sapphire Carrier Substrate Chip

• Materialien: Galliumnitrid
• Dicke: 3-4um oder 20um
• Größe: 2inch oder 4inch
• Fertigungstechnologie: optoelektronischer Halbleiter
• Material: Verbindungshalbleiter
• Typ: n-Halbleiter
• Paket: smd
• Anwendung: Fernseher
• Marke: Fein
• Transportpaket: Box
• Spezifikation: 2INCH
• Warenzeichen: FineWin
• Herkunft: Jiaozuo City Henan Province
• Produktionskapazität: 1000 PCS/Month

Produktbeschreibung

Gan Template Grow Application SSP Sapphire Carrier Substrate Chip  

1. Was ist Vorlagen
Wir verwenden den Begriff "Vorlage", um unsere Produkte zu beschreiben, da sie sich von Substraten unterscheiden. Insbesondere ist eine Vorlage ein zusammengesetztes oder konstruiertes Substrat, bei dem eine oder mehrere Schichten zum ursprünglichen Suspenstrat hinzugefügt werden.

2.Anwendung
 
Blaue und weiße LED für Raumbeleuchtung, Displays und allgemeine Verwendung

Gan Leistungsschaltergeräte

3.Produkt verfügbar

2 bis 4 Zoll GaN-Vorlagen auf FSS und PSS
Thick GaN-Vorlagen (t=3~20μm)
Gan-Template mit hochdotierter n-Typ-Schicht (n=<1e19/cm3)
Es sind Vorlagen für Ntype (ungedopt), Ntype (Si dotiert) und pType (mg dotiert) verfügbar
Gan-Vorlagen auf Saphirsubstres und Silizium-Substraten

4. Funktionen

XRD-FWHM	002	102
3-4μm  GaN/Saphir	200-300	250-450

 Verwerfungsdichte: 3,5e+08 cm-2



5. Spezifikation
2inch Spezifikation

Element	GAN-FS-C-U-C50	GAN-FS-C-N-C50	GAN-FS-C-SI-C50
Abmessungen	Ф 50,8 mm ± 1 mm
Dicke	350 ± 25 µm
Nutzbare Fläche	> 90 %
Ausrichtung	C-Ebene (0001) aus Winkel zur M-Achse 0,35± 0,15 Grad
Ausrichtung Flach	(1-100) ± 0,5 16,0, ± 1,0 mm
Sekundäre Ausrichtung Flach	(11-20) ± 3 8,0, ± 1,0 mm
Gesamtdicke Variation	≤ 15 µm
SCHLEIFE	≤ 20 µm
Leitungstyp	N-Typ (Ungeschliffen)	N-Typ (GE-dotiert)	Halbisolierend (Fe-dotiert)
Widerstand (300K)	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	>106 Ω·cm
Dislokationsdichte	1~9x105 cm-2	5 x 105 cm - 2 ~3x106 cm-2	1~9x105 cm-2
	1~3x106 cm-2		1~3x106 cm-2
Polieren	Oberfläche: RA < 0,2 nm. EPI-Ready poliert Oberfläche: Feiner Boden
Paket	Verpackt in Reinraumumgebungen der Klasse 100, in einzelnen Wafer-Behältern, unter Stickstoffatmosphäre.

4inch Spezifikation

Element	GAN-T-C-U-C100	GAN-T-C-N-C100
Abmessungen	Ф 100 mm ± 0,1 mm
Dicke	4 µm, 20 µm
Ausrichtung	C-Ebene (0001) ± 0,5 Grad
Leitungstyp	N-Typ (Ungeschliffen)	N-Typ (SI-dotiert)
Widerstand 300K	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm
Trägerkonzentration	< 5x1017 cm-3	> 1 x 1018 cm-3
Mobilität	~ 300 cm2/V·s	~ 200 cm2/V·s
Dislokationsdichte	Weniger als 5 x 108 cm - 2 cm
Substratstruktur	Gan on Sapphire (Standard: SSP -Option: DSP)
Nutzbare Fläche	> 90 %
Paket	Verpackt in Reinraumumgebungen der Klasse 100, in Kassetten mit 25pcs oder einzelnen Wafer-Behältern unter Stickstoffatmosphäre.

6. Produktbilder

Ausstellung im Ausland

FAQ:

F: Wie ist der Versand und die Kosten?

A: (1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS etc.

   (2) Wenn Sie Ihre eigenen Express-Konto haben, ist es great.If nicht, könnten wir Ihnen helfen, sie zu versenden.  

 F: Wie bezahlen?

A: T / T, Paypal, etc

F: Was ist Ihr MOQ?

A:  (1) für die Bestandsaufnahme ist die MOQ 5pcs.

   (2) für kundenspezifische Produkte ist der MOQ 10pcs-25pcs.

F: Wie lange ist die Lieferzeit?

A:  (1) für die Standardprodukte

          Zur Warenannahme: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Ihrer Bestellung.

          Für kundenspezifische Produkte: Die Lieferung ist 2 oder 3 Wochen nach der Bestellung.

     (2) bei den Sonderformen beträgt die Lieferung 4 oder 6 Arbeitswochen nach der Bestellung.

F: Haben Sie Standardprodukte?

A: Unsere Standardprodukte auf Lager.

F: Kann ich die Produkte auf meine Bedürfnisse anpassen?

A: Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihre optischen Komponenten auf Ihre Bedürfnisse anpassen.