Gan Template Wafer

• Fertigungstechnik: Optoelektronische Semiconductor
• Material: Compound Semiconductor
• Art: N-Typ-Halbleiter
• Paket: SMD
• Anwendung: Fernsehen
• Marke: Finewin
• Modell Nr.: FW-CRYSTAL
• Materialien: Galliumnitrid
• Dicke: 3-4um oder 20um
• Größe: 2inch oder 4inch
• Transportpaket: Box
• Spezifikation: 2INCH
• Warenzeichen: FineWin
• Herkunft: Jiaozuo City Henan Province
• Produktionskapazität: 1000 PCS/Month

Produktbeschreibung

Gan Template Wafer

1. Was ist Vorlagen
Wir verwenden den Begriff "Vorlage", um unsere Produkte zu beschreiben, da sie sich von Substraten unterscheiden. Insbesondere ist eine Vorlage ein zusammengesetztes oder konstruiertes Substrat, bei dem eine oder mehrere Schichten zum ursprünglichen Suspenstrat hinzugefügt werden.

2.Anwendung
 
Blaue und weiße LED für Raumbeleuchtung, Displays und allgemeine Verwendung

Gan Leistungsschaltergeräte

3.Produkt verfügbar

2 bis 4 Zoll GaN-Vorlagen auf FSS und PSS
Thick GaN-Vorlagen (t=3~20μm)
Gan-Template mit hochdotierter n-Typ-Schicht (n=<1e19/cm3)
Es sind Vorlagen für Ntype (ungedopt), Ntype (Si dotiert) und pType (mg dotiert) verfügbar
Gan-Vorlagen auf Saphirsubstres und Silizium-Substraten

4. Funktionen

XRD-FWHM	002	102
3-4μm  GaN/Saphir	200-300	250-450

 Verwerfungsdichte: 3,5e+08 cm-2



5. Spezifikation
2inch Spezifikation

Element	GAN-FS-C-U-C50	GAN-FS-C-N-C50	GAN-FS-C-SI-C50
Abmessungen	Ф 50,8 mm ± 1 mm
Dicke	350 ± 25 µm
Nutzbare Fläche	> 90 %
Ausrichtung	C-Ebene (0001) aus Winkel zur M-Achse 0,35± 0,15 Grad
Ausrichtung Flach	(1-100) ± 0,5 16,0, ± 1,0 mm
Sekundäre Ausrichtung Flach	(11-20) ± 3 8,0, ± 1,0 mm
Gesamtdicke Variation	≤ 15 µm
SCHLEIFE	≤ 20 µm
Leitungstyp	N-Typ (Ungeschliffen)	N-Typ (GE-dotiert)	Halbisolierend (Fe-dotiert)
Widerstand (300K)	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	>106 Ω·cm
Dislokationsdichte	1~9x105 cm-2	5 x 105 cm - 2 ~3x106 cm-2	1~9x105 cm-2
	1~3x106 cm-2		1~3x106 cm-2
Polieren	Oberfläche: RA < 0,2 nm. EPI-Ready poliert Oberfläche: Feiner Boden
Paket	Verpackt in Reinraumumgebungen der Klasse 100, in einzelnen Wafer-Behältern, unter Stickstoffatmosphäre.

4inch Spezifikation

Element	GAN-T-C-U-C100	GAN-T-C-N-C100
Abmessungen	Ф 100 mm ± 0,1 mm
Dicke	4 µm, 20 µm
Ausrichtung	C-Ebene (0001) ± 0,5 Grad
Leitungstyp	N-Typ (Ungeschliffen)	N-Typ (SI-dotiert)
Widerstand 300K	< 0,5 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm
Trägerkonzentration	< 5x1017 cm-3	> 1 x 1018 cm-3
Mobilität	~ 300 cm2/V·s	~ 200 cm2/V·s
Dislokationsdichte	Weniger als 5 x 108 cm - 2 cm
Substratstruktur	Gan on Sapphire (Standard: SSP -Option: DSP)
Nutzbare Fläche	> 90 %
Paket	Verpackt in Reinraumumgebungen der Klasse 100, in Kassetten mit 25pcs oder einzelnen Wafer-Behältern unter Stickstoffatmosphäre.

6. Produktbilder