Type: | Piezoresistive Pressure Sensor |
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Component: | SemiConductor Type |
For: | Monocrystalline Silicon Pressure Sensor |
Output Signal Type: | Digital Type |
Production Process: | Normal Wirewound |
Material: | Stainless Steel |
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BP350 monokristalliner Silizium-Differenzdrucksensor
Leistungsparameter | |
Ausgabe | 60~140mV |
Lagertemperatur | -40ºC~125ºC |
Arbeitstemperatur | -40ºC~85ºC |
Stromversorgung | 5V DC |
Temperaturhysterese | ±0,1 % FS (10kPa) |
Druckhysterese | ±0,025 % FS |
Langfristige Stabilität | ±0,05 % FS/Jahr |
Nichtlinearität | ±0,5%FS(10kPa |
Statischer Druckeinfluss | ±0,15 % FS/10MPa |
Membranmaterial | 316L oder Hastelloy |
Nulltemperatur Drift | ±0,05%FS/ºC |
Druckbereich | ||
Bereich | Überdruck | Statischer Druck |
-6kPa~0~6kPa | 16MPa | 16MPa |
-40kPa~0~40kPa | 16MPa | 16MPa |
-100kPa~0~100kPa | 16MPa | 25MPa |
-250kPa~0~250kPa | 16MPa | 25Mpa |
-1MPa~0~1MPa | 16MPa | 40MPa |
-3MPa~0~3MPa | 16MPa | 40MPa |
Bestelltipps |
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