Type: | Piezoresistive Pressure Sensor |
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Component: | SemiConductor Type |
For: | Diffused Silicon Pressure Transmitter |
Output Signal Type: | Analog Type |
Production Process: | Integration |
Material: | Stainless Steel |
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Leistungsparameter: | |||||
Messbereich | Messuhr (G) | 10kPa,20KPa,35KPa,100kPa,200kPa,350KPa,1000kpa,2000Kpa | |||
Absolut(A) | 100KPaA,200KPaA,350KPaA,700KPaA,1000KPaA,2000KPaA | ||||
Typ | Max | Einheit | |||
Linearität | ±0,15 | ±0,3 | %F.S | ||
Wiederholbarkeit | 0,05 | 0,1 | %F.S | ||
Hysterese | 0,05 | 0,1 | %F.S | ||
Nullpunktabgleich | 0±1 | 0±2 | Mk | ||
Vollausgangsleistung | ≤20KPa | 50±10 | 50±30 | Mk | |
≥35kPa | 100±10 | 100±30 | Mk | ||
Nullpunktverschiebung Temp. Drift | ≤20KPa | ±1 | ±2 | %F.S | |
≥35kPa | ±0,5 | ±1 | %F.S | ||
Temperatur Des Gesamten Messumfangs Drift | ≤20KPa | ±1 | ±2 | %F.S | |
≥35kPa | ±0,5 | ±1 | %F.S | ||
Kompensierte Temp. | ≤20KPa | 0~50 | ºC | ||
≥35kPa | 0~70 | ºC | |||
Betriebstemperatur | -20~80 | ºC | |||
Lagertemperatur | -40~125 | ºC | |||
Zulässige Überlastung | Nehmen Sie den kleineren Wert zwischen dem 3-fachen des Skalenendwerts Oder 4MPa | ||||
Berstdruck | 5x die gesamte Skala | ||||
Langfristige Stabilität | 0,2 % | F.S/Jahr | |||
Membranmaterial | 316L | ||||
Isolationswiderstand | ≥200MΩ 100VDC | ||||
Vibrationen | Keine Änderung unter Bedingungen von 10gRMS, 20Hz bis 2000Hz | ||||
Schock | 100G,11ms | ||||
Reaktionszeit | ≤1ms | ||||
Gewicht | ~12,5g | ||||
Die Parameter werden unter folgenden Bedingungen getestet: Konstantstrom von 1,5mA und Umgebungstemperatur von 25 Grad |
Gliederungskonstruktion | |
Elektrische Verbindung und Kompensation |
Auswahlbeispiele |
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