gestalten: | TAUCHEN |
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Leitfähige Typ: | Enhanced |
Integration: | GSI |
Technics: | Dünnfilm-IC |
Kanaltyp: | Verbessertes MOS-Rohr |
Markenname: | Original |
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FET-Typ
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N- und P-Kanal-Ergänzung
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FET-Funktion
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Standard
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Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
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30V
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Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
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6A
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Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
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30mOhm @ 6A, 10V
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VGS(th) (max) @ ID
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2,4V @ 250µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
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6nC @ 10V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
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310pF @ 15V
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