Certification: | RoHS, CE, ISO |
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Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Function: | N-Channel Mosfet |
Produktbeschreibung: | / |
ds Durchschlagspannung min: | 60 V |
Produktnummer: | Fga60n60ufd |
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IGBT-Typ
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Feld Stopp
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Spannung - Kollektor-Emitter-Ausfall (Max.)
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600 V
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Strom - Kollektor (Ic) (Max.)
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120 A
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Strom - Kollektor Gepulst (Icm)
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180 A
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VCE(ON) (max) @ VGE, IC
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2,4V @ 15V, 60A
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Leistung - Max
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298 W
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Schaltenergie
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1,81mJ (ein), 810µJ (aus)
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Eingangstyp
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Standard
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Gate-Gebühr
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188 Öffner
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TD (ein/aus) @ 25 C.
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23ns/130ns
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