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IGBT Leistungstransistor 25n120 25A 1200V to-247 für Induktionskochfeld Sgw25n120

Zertifizierung: RoHS, CE, ISO, CCC
Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
Installation: Plug-in-Triode
Arbeitsfrequenz: Overclocking
Leistungspegel: Medium Power
Funktion: lichtempfindlich, Darlington Rohr, Macht Triode, Switching Triode

Kontakt Lieferant

Diamond-Mitglied Seit 2016

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Bewertung: 5.0/5
Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
SGW25N120
Struktur
Legierung
Stoff
Germanium
Name
Sgw25n120
beschreibung
igbt-Transistoren schnell igbt npt Tech 1
Serie
Sgw25n120
Kollektor- Emitter Spannung vceo max
1200V
Produkttyp
igbt-Transistoren
Transportpaket
Tube
Spezifikation
standard
Warenzeichen
Infineon
Herkunft
Chn

Produktbeschreibung


IGBT Power Transistor 25n120 25A 1200V to-247 for Induction Cooker Sgw25n120


IGBT Power Transistor 25n120 25A 1200V to-247 for Induction Cooker Sgw25n120

Serie: SGW25N120  
Verpakung: Tube  
Marke: Infineon
Kontinuierlicher Kollektorstrom IC Max: 46 A

IGBT Power Transistor 25n120 25A 1200V to-247 for Induction Cooker Sgw25n120
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