Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
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Installation: | Plug-in Triode |
Working Frequency: | High Frequency |
Function: | Photosensitive, Darlington Tube, Power Triode, IGBT |
Material: | Silicon |
Markenname: | Original |
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IGBT Typ | NPT und Graben |
Vce (an) (maximal) @ Vge, IS | 2V @ 15V, 25A |
Schaltungs-Energie | 800µ J (weg) |
Input-Typ | Standard |
Betriebstemperatur | - 40° C ~ 150° C (TJ) |
Montage-Typ | Durch Loch |
Spannung - Emitter-Zusammenbruch (maximal) | 1200 V |
Aktuell - Sammler (IS) (maximal) | 50 A |
Aktuell - Sammler pulsierte (Icm) | 75 A |
Energie - maximal | 231 W |
Gatter-Ladung | 147 nC |
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