Irg7s313utrlpbf Save IC Irg7s313u integrierte Schaltung

• Certification: RoHS
• Shape: ST
• Function: High Back Pressure Transistor, Microwave Transistor, Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Encapsulation Structure: SMD(So)
• Markenname: Original
• Modell Nr.: IRG7S313UPBF
• Bleifreier Status: rohs-konform
• Versand durch: dhl\ups\fedex\ems\hk postdhl\ups\fedex\ems\hk post
• Bedingung: Brandneu und Original
• Transportpaket: Carton

Produktbeschreibung

 

IRG7S313UPBF PDP-GRABEN-IGBT  

Produktinformationen

 

Dieser IGBT wurde speziell für Anwendungen in Plasma-Displays entwickelt. Dieses Gerät nutzt fortschrittliche Grabench-IGBT-Technologie, um eine niedrige VCE(on)- und niedrige EPULSETM-Einstufung pro Siliziumbereich zu erreichen, was die Paneleffizienz verbessert. Weitere Merkmale sind die 150 Grad Celsius Betriebstemperatur und hohe repetitive Strombelastbarkeit. Diese Eigenschaften machen diesen IGBT zu einem hocheffizienten, robusten und zuverlässigen Gerät für PDP-Anwendungen
 

 Fortschrittliche Trench IGBT-Technologie
Optimiert für Sustain- und Energierückgewinnungskreise in PDP-Anwendungen
 Niedriger VCE(ein) und Energie pro Impuls (EPULSETM) für verbesserte Anzeige Effizienz
 Hohe Leistung bei sich wiederholenden Spitzenstrombelastungen
 Bleifreies Paket





Verpackung Und Lieferung

Verpakung: Einzelkarton, Standardgewicht pro Karton









Anwendungsbereich




Zertifizierung


Anwendungsbereich



Andere Produkte

Die wichtigsten Produkte des Unternehmens sind: ic, MOS Tube, IGBT, Diode / Triode, Thyristor, Darlington, drei Terminals
Spannungsregler usw.




Zahlungsmethode





 

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