Neuer und ursprünglicher Transistor Irf1010epbf TO220 Irf1010 to-220 F1010e Irf1010e

• Zertifizierung: RoHS, CE, ISO, CCC
• Gestalten: GT
• Abschirmungstyp: Remote-Cut-Off-Schlauch Abschirmung
• Kühlungsmethode: Natürlich gekühltes Rohr
• Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
• Struktur: Diffusion
• Modell Nr.: IRF1010E
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Germanium
• Produkttyp: Transistor
• Installationsart: /
• Paket/Karton: /
• Polarität des Transistors: npn
• Betriebstemperatur: Standard
• Versorgungsspannung: Einzeln
• Preis: pls kontaktieren Sie unseren
• Warenzeichen: FAIRCHILD

Produktbeschreibung

·Produktattribute
 

FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.	75A (TC)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs	8,5mOhm @ 51A, 10V
VGS(th) (max) @ ID	4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs	86 Öffner @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds	2810 pF @ 25 V

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