Energien-Feldwirkung-Transistor Irfb4020pbf Irfb4020 to-220 IR

• Gestalten: ST
• Abschirmungstyp: Sharp Cutoff Schirmungsrohr
• Kühlungsmethode: Luftgekühlte Rohr
• Funktion: mosfet
• Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
• Struktur: planar
• Modell Nr.: IRFB4020PBF
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Stoff: Silizium
• Installationsart: Durchgangsbohrung
• Polarität des Transistors: n-Kanal
• Kanalmodus: Verbesserung
• Produkttyp: mosfet
• Beschreibung von samacsys: mosfet mosft 200v 100mohm 18a 18nc qg für aud
• fet-Technologie: Metalloxid-Halbleiter
• Polarität/Kanaltyp: n-Kanal
• Transportpaket: Tube
• Spezifikation: iron and plastic
• Herkunft: Chn

Produktbeschreibung

 

> . Specifications

> . Produkteigenschaft

 

Vds - Leeren-Quellendurchbruchsspannung:	200 V
Identifikation - Kontinuierliches Abfluss-Bargeld:	18 A
RDS an - Leeren-Quellenwiderstand:	100 mOhms
Vgs - Gatter-Quellenspannung:	- 20 V, + 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Normalbetriebshö Chsttemperatur:	+ 175 C
Palladium - Energien-Ableitung:	100 W
Kanal-Modus:	Verbesserung
Konfiguration:	Einzeln
Hö He:	15.65 mm
Lä Nge:	10 mm
Transistor-Typ:	1 N-Channel
Breite:	4.4 mm

> . About wir

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Bauteile. Wir spezialisierten uns, auf, von zu konzipieren, sich zu entwickeln und herzustellen IS, Dioden, Transistoren,
Stö Rungsbesuch, Mosfet, IGBT, Regler mit unserer eigenen Marke (JDP). Auß Erdem, wir sind international
Renommeeteilverteiler von Str., TI, NXP, ENERGIE, TOSHIBA, MIKROCHIP, Infineon und anderes
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(SECC), gewannen wir viele Preise wie Unternehmen Marke der OBERSEITE 10, Ü BERSTEIGEN 10 Qualitä Tslieferanten,}

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Audio, Induktions-Kocher, Warmwasserbereiter, Energien-Adapter, Ladegerä T und viele Spitzen
Elektronikprodukte}

> . Product Kategorie