Zertifizierung: | RoHS, CE, ISO, CCC |
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Verkapselungsstruktur: | Chip-Transistor |
Installation: | Plug-in-Triode |
Leistungspegel: | Medium Power |
Funktion: | Transistor |
Stoff: | Germanium |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Transistor-Polaritä T: | N-Channel |
Zahl der Kanä Le: | 1 Kanal |
Vds - Leeren-Quellendurchbruchsspannung: | 200 V |
Identifikation - Kontinuierliches Abfluss-Bargeld: | 76 A |
RDS an - Leeren-Quellenwiderstand: | 20 mOhms |
Vgs - Gatter-Quellenspannung: | - 20 V, + 20 V |
Vgs Th - Gatter-Quellenschwellwert-Spannung: | 1.8 V |
Qg - Gatter-Ladung: | 100 nC |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
Normalbetriebshö Chsttemperatur: | + 175 C |
Palladium - Energien-Ableitung: | 375 W |
Kanal-Modus: | Verbesserung |
Verpacken: | Gefä ß |
Konfiguration: | Einzeln |
Hö He: | 15.65 mm |
Lä Nge: | 10 mm |
Transistor-Typ: | 1 N-Channel |
Breite: | 4.4 mm |
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