Hohe zuverlässige Mesa Struktur 20kV 3A Hochspannungs-Gleichrichter-Diode

• Application: Diode, Rectification
• Batch Number: 2010+
• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Element Semiconductor
• Model: 20kv 3A
• Package: Through-Hole
• Modell Nr.: 20KV 3A
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Type: P-Type Semiconductor
• tj: -40oC~+150oC
• l*h*b: 150*50*25
• Verwendet: Elektrostatische Reinigung
• Funktion: Weitere Größen erhältlich
• Marke: Bleisonne
• Transportpaket: 50PCS in a Box
• Warenzeichen: Bleisonne
• Herkunft: Anshan China
• HS-Code: 85415000
• Produktionskapazität: 5000PCS/Month

Produktbeschreibung

Hochspannungs    -Gleichrichterblöcke    2CL20KV/3, 0A   Mit  Hoher  Zuverlässiger  Mesa  Struktur  Und  Diffusion  Handwerk,   Epoxidharz in kompakter Struktur geformt.           Funktion: Lawinencharakteristik   Weitere  Größen  Erhältlich Vakuumgeformtes  ,   Nicht korrosives  Epoxidharzgehäuse     TJ: -40ºC--+150  ºC Anwendung: Elektrostatische  Reinigung     Hochspannungsprüfgeräte   Universal    -Hochspannungs-Gleichspannungs-Gleichspanner     Extreme (Absolute  Maximale  Nennleistung)

Element	Symbol	Einheit	Bedingungen	Spannung
Repetitive  Peak  -Umkehrspannung	VRRM	KV	TA=25ºC  IR=0.1μA	20, 0
Maximale  Rückwärtsspannung Bei Betrieb	VRWM	KV	TA=25ºC  IR=0.1μA	20, 0
Nicht Wiederholende  Peak  -Reverse  -Spannung	VRsM	KV	TA=25ºC  IR=0.1μA	22, 0
Durchschnittlicher  Durchlaufstrom	E/A	A	50Hz  Halbsinuswelle    ,   Widerstandslast    Im  Öl @Tbreak=50ºC	3, 0
Überspannungsausgang	IFSM	A	0, 01s  @  Half-Sinus  -Welle  50Hz	100
Umgebungstemperatur Bei Betrieb	Ta	ºC		-55~+150
Temperatur der Verbindung  Und  Lagerung	T  STG	ºC		-55~+150

Elektrische  Eigenschaften  (Ta=25ºC)

Vorwärtsspitze	VFM	V	@TA=25ºC  IF=3, 0A	24, 0
Spitzenstrom  Rückwärts	IRRM1	μA	@  TA=25ºC  VRM=VRRM	5, 0
	IRRM2	μA	@  TA=100ºC  VRM=VRRM	100, 0