Weitere Größen verfügbar 30kV/0,3A HV Silizium Diode

• Application: Diode, Rectification
• Batch Number: 2010+
• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Element Semiconductor
• Model: 2CLG30kv/0.3A
• Package: Through-Hole
• Modell Nr.: 2CLG30KV/0.3A
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Type: P-Type Semiconductor
• l*h*b: 90*25*18
• trr: 100ns
• tj: -40oc~125oc
• Funktionen: Weitere Größen verfügbar
• Marke: Bleisonne
• Transportpaket: 50PCS in a Box
• Warenzeichen: Bleisonne
• Herkunft: Anshan China
• HS-Code: 85415000
• Produktionskapazität: 5000PCS/Month

Produktbeschreibung

2CLG30KV0.3A  Hochspannungs    -Gleichrichterblock    Nimmt  Hohe  Zuverlässige  Mesa  Struktur  Und  Diffusion  Handwerk,   Epoxidharz    In    Einer  Kompakten  Struktur geformt. Produktfunktionen   1.   Lawinencharakteristik   2.   Weitere  Größen  Verfügbar   3.   Vakuum  Geformte,   Nicht korrosive  Epoxidharz    Fall 4.   TJ:   -40ºC-+125ºC Anwendung 1.   Hochspannungs    -Gleichrichter  In    Der elektrostatischen  Reinigung verwendet 2.   Hochspannungsprüfgeräte       3.   Universal    -Hochspannungs    -Gleichrichter Grenzwerte  (Absolute  Maximale  Nennleistung)

Element	Symbol	Einheit	Bedingung	Spannung
Repetitive  Peak  -Umkehrspannung	VRRM	KV	TA=25ºC  IR=0.5μA	30
Maximale  Rückwärtsspannung Bei Betrieb	VRWM	KV	TA=25ºC  IR=0.5μA	30
Nicht wiederholende  Peak  ReverseVoltage	VRsM	KV	TA=25ºC  IR=0.5μA	33
Durchschnittlicher  Durchlaufstrom	E/A	A	50Hz  Halbsinuswelle    ,   Widerstandslast    @Tbreak=50ºC	0, 3
Überspannungsstrom	IFSM	A	0, 01s  @  Half-Sinus  -Welle  50Hz	20, 0
Temperatur der Verbindung  Und  Lagerung	T  STG	ºC		-40~+125
Temperatur Der Virtuellen Kreuzung	T(vj)	ºC		-40~+125

 

Element	Symbol	Einheit	Bedingungen	Spannung
Vorwärtsspitze	VFM	V	@  TA=25ºC  IF=0, 3A	74, 0
Rückkehrzeit	trr	ns	IF=10mA    IR=20mA    IRR=5mA	100
Spitzenstrom  Rückwärts	IRRM1	μA	@  TA=25ºC  VRM=VRRM	2, 0
Spitzenstrom  Rückwärts	IRRM2	μA	@  TA=100ºC  VRM=VRRM	50, 0

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