CMP Läppmaschine für Silizium-Wafer

• Transportpaket: Sea
• Spezifikation: 2000KG
• Warenzeichen: MINDERHIGHTECH
• Herkunft: Guangzhou
• HS-Code: 8501109101

Produktbeschreibung

MDS8104LMFR/MDS8104PMFR

HALBAUTOMATISCHE MASCHINE ZUM LÄPPEN/POLIEREN VON SUBSTRATEN

Maschinenanwendung

Prozesstyp

Nach Prozessmaterial sortieren

Nach Anwendung sortieren

EINSEITIG
PLATTE
LÄPPEN UND
POLIEREN

Metall Und Legierung
Keramik
Oxid
Hartmetall
Glas
Kunststoff

Halbleiter

LED-Substrat
SI, SiC, Ge, Ge-Si, GaN, GaAs, GaAsAl, GaAsP, InSb, InP, ZnO, AlN, Al2O3 usw.

Harz

PE, E/VAC, SBS, SBR, NBR, SR, BR, PR

LEITERPLATTE

,, adhsive, Beschichtung, Schaltung

Optisch

,,,HUDoptische Linse,HUD Glas, Bildschirmglas

Radar
Gemstaone
Andere

Oxidbeschichtung
Jade, Saphir, Achat usw.
Ventildichtring. Mikrometer Diamant, Lager, etc

Durch das Läppen kann nur eine geringe Objektdicke entfernt werden.Wenn der Rand des Teinens >=100um beträgt, werden dünnere Maschinen benötigt.(kontaktieren Sie uns für den Verdünner)

Maschinenspezifikation

Maschinenklasse

Standardspezifikation

Maschinenserie

MDS8104LMFR

Plattendurchmesser

Φ810mm

Max. Objektdurchmesser

Φ350 mm

Nummer der Station

4

Drehgeschwindigkeit Der Platte

0-90 U/MIN

Zylinderstange, Drehzahl

0-40 U/MIN

Geschwindigkeit Für Das Einstechen Und Das Einstechen
Nicht in Polieren einschließen

0-120mm/m

Gesamtgewicht

2200kg

Stellfläche

2200*1200mm

Optionale Auswahl

Spezifikation

Kontrollen

Digital -/ Touchscreen-SPS

Druckquelle

Integriert mit SPS

Einstechen und Einstechen

Digitale / manuelle Steuerung Einschubtiefe integriert mit SPS /    
SPS-Steuerung Einspeistiefe integriert mit SPS

Plattenkühlsystem

In Maschine integriert

Gülleversorgungssystem

Digital / integriert mit SPS

Zylinderstange Antriebssystem

Integriert mit SPS

Staubabsauganlage

Manuell / integriert mit SPS

1, Musterherstellung auf der Grundlage der Produktionsanforderung kann die Notwendigkeit von optionalen Kits bestätigen.
2, die schattierten Optionen ist buit in dieser Maschine.
3, das Gesicht- und Nutsystem ist für Poliermaschine nicht notwendig und nicht konfiguriert.
4, Substrat Läppen / Poliermaschine ist hoch konfiguriert, EIN staubgeschützter Schutz wird für den Schutz vor flüchtigen oder festen Partikel Kratzen gegen Objektoberfläche während der Verarbeitung, vor allem beim Polieren verwendet.
5, Kontaktieren Sie uns für mehr Art der Läppen/Polieren Maschine



 

Beispiele

Beispieldatensatz

Anwendung Und Material

 

MDS8104LMFR/MDS8104PMFR

HALBAUTOMATISCHE MASCHINE ZUM LÄPPEN/POLIEREN VON SUBSTRATEN

Maschinenanwendung

Prozesstyp

Nach Prozessmaterial sortieren

Nach Anwendung sortieren

EINSEITIG PLATTE LÄPPEN UND POLIEREN

Metall Und Legierung Keramik Oxid Hartmetall Glas Kunststoff

Halbleiter

LED-Substrat SI, SiC, Ge, Ge-Si, GaN, GaAs, GaAsAl, GaAsP, InSb, InP, ZnO, AlN, Al2O3 usw.

Harz

PE, E/VAC, SBS, SBR, NBR, SR, BR, PR

LEITERPLATTE

,, adhsive, Beschichtung, Schaltung

Optisch

,,HUDoptische Linse,HUD Glas, Bildschirmglas

Radar Gemstaone Andere

Oxidbeschichtung Jade, Saphir, Achat usw. Ventildichtring. Mikrometer Diamant, Lager, etc

Durch das Läppen kann nur eine geringe Objektdicke entfernt werden.Wenn der Rand des Teinens >=100um beträgt, werden dünnere Maschinen benötigt.(kontaktieren Sie uns für den Verdünner)

Maschinenspezifikation

Maschinenklasse

() Flachläppung Maschine

() Doppelscheibe Läppmaschine

Polieren Mit Pinsel Maschine

Substrat Schleif-/Ausdünnungsmaschine

Standardspezifikation

Maschinenserie

MDS8104LMFR

Plattendurchmesser

Φ810mm

Max. Objektdurchmesser

Φ350 mm

Nummer der Station

4

Drehgeschwindigkeit Der Platte

0-90 U/MIN

Zylinderstange, Drehzahl

0-40 U/MIN

Geschwindigkeit Für Das Einstechen Und Das Einstechen Nicht in Polieren einschließen

0-120mm/m

Gesamtgewicht

2200kg

Stellfläche

2200*1200mm

Optionale Auswahl

Spezifikation

Kontrollen

Digital -/ Touchscreen-SPS

Druckquelle

Integriert mit SPS

Einstechen und Einstechen

Digitale / manuelle Steuerung Einschubtiefe integriert mit SPS /     SPS-Steuerung Einspeistiefe integriert mit SPS

Plattenkühlsystem

In Maschine integriert

Gülleversorgungssystem

Digital / integriert mit SPS

Zylinderstange Antriebssystem

Integriert mit SPS

Staubabsauganlage

Manuell / integriert mit SPS

1, Musterherstellung auf der Grundlage der Produktionsanforderung kann die Notwendigkeit von optionalen Kits bestätigen. 2, die schattierten Optionen ist buit in dieser Maschine. 3, das Gesicht- und Nutsystem ist für Poliermaschine nicht notwendig und nicht konfiguriert. 4, Substrat Läppen / Poliermaschine ist hoch konfiguriert, EIN staubgeschützter Schutz wird für den Schutz vor flüchtigen oder festen Partikel Kratzen gegen Objektoberfläche während der Verarbeitung, vor allem beim Polieren verwendet. 5, Kontaktieren Sie uns für mehr Art der Läppen/Polieren Maschine

Beispiele

Beispieldatensatz

Anwendung Und Material

Diagonaldurchmesser

Prozess Typ

Ebenheit

Rauheit

Parallel

Dicke

Hinweis

Saphir Für Die Industrie

Verschiedene

Läppen Polieren

2μm

≤Ra 0,02 μm

5μm ±1μm

0,2mm

N

Solarwafer

Verschiedene

Läppen

1μm

Nicht Erforderlich

2μm ±1μm

0,15mm

N

Substrat CaC2

Φ22mm

Läppen

0.5μm

Nicht Erforderlich

1μm ±0.5μm

0,05mm

N

Wafer Si

Verschiedene

Läppen Polieren

2μm

≤Ra 0,02 μm

3μm ±1μm

0,1mm

N

LED-Substrat Kupfer

Φ169mm

Läppen Polieren

5μm

≤Ra 0,01 μm

5μm ±1μm

Nicht erforderlich

N

Substrat MgO

Φ72mm

Läppen

1μm

Nicht Erforderlich

1μm

0,1mm

N

Substrat Al2O3

Φ158mm

Läppen Polieren

3um

≤Ra 0,02 μm

3um ±1μm

0,13mm

N

Onaler Durchmesser

Prozess
Typ

Ebenheit

Rauheit

Parallel

Dicke

Hinweis

Saphir Für Die Industrie

 

Verschiedene

Läppen
Polieren

2μm

≤Ra 0,02 μm

5μm
±1μm

0,2mm

N

Solarwafer

Verschiedene

Läppen

1μm

Nicht Erforderlich

2μm
±1μm

0,15mm

N

Substrat
CaC2

Φ22mm

Läppen

0.5μm

Nicht Erforderlich

1μm
±0.5μm

0,05mm

N

Wafer
Si

Verschiedene

Läppen
Polieren

2μm

≤Ra 0,02 μm

3μm
±1μm

0,1mm

N

LED-Substrat Kupfer

Φ169mm

Läppen
Polieren

5μm

≤Ra 0,01 μm

5μm
±1μm

Nicht erforderlich

N

Substrat
MgO

Φ72mm

Läppen

1μm

Nicht Erforderlich

1μm

0,1mm

N

Substrat
Al2O3

Φ158mm

Läppen
Polieren

3um

≤Ra 0,02 μm

3um
±1μm

0,13mm

N