Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd.

Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (NANOWIN) wurde im Mai 2007 im Suzhou Industry Park, China, gegründet und ist ein Hightech-Unternehmen, das sich der Herstellung hochwertiger Galliumnitrid (GaN)-Substrate und der Entwicklung der zugehörigen Technologien widmet.

NANOWIN′s Hauptvorteil ist die unübertroffene Materialkompetenz, die wesentliche Patente in GaN-Substraten und Wachstumstechnologien besitzt. NANOWIN bietet Standard- und kundenspezifische freistehende GaN-Substrate und dicke GaN/Saphir-Schablonen mit besonders geringen Dislokationsdichten, die für Anwendungen in Hochleistungs-LED, Blue LD und Hochleistungs-Elektronik/Elektrik-Geräten geeignet sind. Die Hauptprodukte von NANOWIN sind 2-Zoll-GaN/Saphir-Schablonen mit einer GaN-Dicke von 15 bis 90 2, 350-Zoll-frei stehende GaN-Substrate mit einer Dicke von etwa 106 2 und einer GA-Verrendungsdichte von 1~2 cm bis 1inch, kleines Quadrat (Seitenlänge in Zentimetern/1,5inch/1,8inch/), freistehende GaN-Substrate, unpolare GaN-Substrate (A/m-Fläche), GaN-Pulver und AlN-Substrate (PSS) mit hoher Kristallinität. Alle von NANOWIN produzierten GaN-Schablonen und -Substrate umfassen drei Kategorien: N-Typ dotiert, ungedotiert und halbisolierend dotiert.

Unser strategisches Ziel ist es, ein führender Anbieter von Nitrid-Halbleitermaterialien und ein Pionier in den Industrieanwendungen von Nitrid-Halbleitern zu werden.