Mrs. Daisy
Die Anschrift:
No. 218, Xinghu Street, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu, China
Telefon:
Postleitzahl:
Telefax:
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Konto Registriert in:
2011
Geschäftsbereich:
Elektronik, Mineralien und Energie
Zertifizierung des Managementsystems:
ISO 9001
Unternehmensart:
Hersteller/Werk
Hauptprodukte:
Bulk Gan Substrat, Gan Wafer, LD, LED, Gan HEMT
Firmenvorstellung
Handelskapazität
Produktionskapazität
Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (NANOWIN) wurde im Mai 2007 im Suzhou Industry Park, China, gegründet und ist ein Hightech-Unternehmen, das sich der Herstellung hochwertiger Galliumnitrid (GaN)-Substrate und der Entwicklung der zugehörigen Technologien widmet.
NANOWIN's Hauptvorteil ist die unübertroffene Materialkompetenz, die wesentliche Patente in GaN-Substraten und ...
NANOWIN's Hauptvorteil ist die unübertroffene Materialkompetenz, die wesentliche Patente in GaN-Substraten und ...
Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (NANOWIN) wurde im Mai 2007 im Suzhou Industry Park, China, gegründet und ist ein Hightech-Unternehmen, das sich der Herstellung hochwertiger Galliumnitrid (GaN)-Substrate und der Entwicklung der zugehörigen Technologien widmet.
NANOWIN's Hauptvorteil ist die unübertroffene Materialkompetenz, die wesentliche Patente in GaN-Substraten und Wachstumstechnologien besitzt. NANOWIN bietet Standard- und kundenspezifische freistehende GaN-Substrate und dicke GaN/Saphir-Schablonen mit besonders geringen Dislokationsdichten, die für Anwendungen in Hochleistungs-LED, Blue LD und Hochleistungs-Elektronik/Elektrik-Geräten geeignet sind. Die Hauptprodukte von NANOWIN sind 2-Zoll-GaN/Saphir-Schablonen mit einer GaN-Dicke von 15 bis 90 2, 350-Zoll-frei stehende GaN-Substrate mit einer Dicke von etwa 106 2 und einer GA-Verrendungsdichte von 1~2 cm bis 1inch, kleines Quadrat (Seitenlänge in Zentimetern/1,5inch/1,8inch/), freistehende GaN-Substrate, unpolare GaN-Substrate (A/m-Fläche), GaN-Pulver und AlN-Substrate (PSS) mit hoher Kristallinität. Alle von NANOWIN produzierten GaN-Schablonen und -Substrate umfassen drei Kategorien: N-Typ dotiert, ungedotiert und halbisolierend dotiert.
Unser strategisches Ziel ist es, ein führender Anbieter von Nitrid-Halbleitermaterialien und ein Pionier in den Industrieanwendungen von Nitrid-Halbleitern zu werden.
NANOWIN's Hauptvorteil ist die unübertroffene Materialkompetenz, die wesentliche Patente in GaN-Substraten und Wachstumstechnologien besitzt. NANOWIN bietet Standard- und kundenspezifische freistehende GaN-Substrate und dicke GaN/Saphir-Schablonen mit besonders geringen Dislokationsdichten, die für Anwendungen in Hochleistungs-LED, Blue LD und Hochleistungs-Elektronik/Elektrik-Geräten geeignet sind. Die Hauptprodukte von NANOWIN sind 2-Zoll-GaN/Saphir-Schablonen mit einer GaN-Dicke von 15 bis 90 2, 350-Zoll-frei stehende GaN-Substrate mit einer Dicke von etwa 106 2 und einer GA-Verrendungsdichte von 1~2 cm bis 1inch, kleines Quadrat (Seitenlänge in Zentimetern/1,5inch/1,8inch/), freistehende GaN-Substrate, unpolare GaN-Substrate (A/m-Fläche), GaN-Pulver und AlN-Substrate (PSS) mit hoher Kristallinität. Alle von NANOWIN produzierten GaN-Schablonen und -Substrate umfassen drei Kategorien: N-Typ dotiert, ungedotiert und halbisolierend dotiert.
Unser strategisches Ziel ist es, ein führender Anbieter von Nitrid-Halbleitermaterialien und ein Pionier in den Industrieanwendungen von Nitrid-Halbleitern zu werden.
Internationale Handelsbedingungen (Incoterms):
FOB, CIF
Zahlungsbedingungen:
T/T, Western Union
Durchschnittliche Lieferzeit:
Vorlaufzeit In Der Hauptsaison: 1-3 Monate, Vorlaufzeit Außerhalb Der Saison: Innerhalb von 15 Werktagen
Anzahl Außenhandelsmitarbeiter:
4~10 Personen
Exportjahr:
2008-07-10
Exportprozentsatz:
21%~30%
Jährliche Exporteinnahmen:
10000 ~ 1 Million USD
Hauptmärkte:
Nordamerika, Südamerika, Osteuropa, Südostasien, Afrika, Ozeanien, Mittlerer Osten, Ostasien, Westeuropa
Import- und Exportmodus:
Besitzen Sie eine eigene Ausfuhrlizenz
Fabrik Adresse:
NO.218,Xinghu Street,Suzhou Industrial Park,Jiangsu,PRC
Anzahl der F&E-Mitarbeiter:
11-20 Personen
Anzahl der Produktionslinien:
4