Zertifizierung: | ISO |
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Gestalten: | Einbruch |
Abschirmungstyp: | k. A. |
Kühlungsmethode: | k. A. |
Funktion: | Hohe Gegendruck Transistor, k. A. |
Arbeitsfrequenz: | Hochfrequenz |
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TYP
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BESCHREIBUNG
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WÄHLEN SIE
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Kategorie
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Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FETs, MOSFETs
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Mfr
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STMicroelectronics
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Serie
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MDmesh™
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Paket
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Rohr
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Produktstatus
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Aktiv
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FET-Typ
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N-Kanal
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
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800 V
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Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
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17a (TC)
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Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
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10V
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Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
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295mOhm @ 8,5A, 10V
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VGS(th) (max) @ ID
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5V @ 250µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
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70 Öffner @ 10 V
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Vgs (Max.)
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±30V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
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2070 pF @ 50 V
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FET-Funktion
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-
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Verlustleistung (Max.)
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190W (TC)
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Betriebstemperatur
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150 OC (TJ)
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Montageart
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Durchgangsbohrung
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Gerätepaket Des Lieferanten
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TO-247-3
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Paket/Karton
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TO-247-3
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Basisproduktnummer
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STW18
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