Ursprünglich Hgtd1n120bns9a IGBT 1200V 5.3A 60W to-252AA Transistor

• Anpassung: Verfügbar
• Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
• Anwendung: Elektronische Produkte
• Modell Nr.: HGTD1N120BNS9A
• Zertifizierung: RoHS, ISO
• Leuchtstärke: Standard
• Farbe: Schwarz
• Struktur: Standard
• Stoff: Silizium
• Produkttyp: Transistor
• Verpackung: To-252aa
• Qualität: Neu und Original
• Montageart: Aufputzmontage
• Transportpaket: Standard
• Spezifikation: Standard
• Warenzeichen: Standard
• Herkunft: Originalbild
• HS-Code: 8541210000
• Produktionskapazität: 500000

Produktbeschreibung

ORIGINAL HGTD1N120BNS9A IGBT 1200V 5,3A 60W TO-252AA TRANSISTOR

TYP	BESCHREIBUNG
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBT Einzelne IGBTs
Mfr	onsemi
Serie	-
Paket	Band und Rolle (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus	Aktiv
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Ausfall (Max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max.)	5,3 A
Strom - Kollektor Gepulst (Icm)	6 A
VCE(ON) (max) @ VGE, IC	2,9V @ 15V, 1A
Leistung - Max	60 W
Schaltenergie	70µJ (ein), 90µJ (aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Gebühr	14 Öffner
TD (ein/aus) @ 25 C.	15ns/67ns
Testbedingung	960V, 1A, 82OHM, 15V
Betriebstemperatur	-55 ~ 150 C (TJ)
Montageart	Smd
Paket/Karton	TO-252-3, DPAK (2 Ableitungen + Lasche), SC-63
Gerätepaket Des Lieferanten	TO-252AA
Basisproduktnummer	HGTD1N120

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