Certification: | RoHS |
---|---|
Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Installation: | SMD Triode |
Power Level: | Medium Power |
Structure: | Alloy |
fet-Typ: | n-Kanal |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
TYP
|
BESCHREIBUNG
|
---|---|
Kategorie
|
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FETs, MOSFETs
|
Serie
|
HEXFET®
|
Verpackung
|
Band und Rolle (TR)
Cut Tape (CT)
|
Artikelstatus
|
Aktiv
|
FET-Typ
|
N-Kanal
|
Technologie
|
MOSFET (Metalloxid)
|
Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
|
100 V
|
Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
|
5,7A (Ta), 25A (TC)
|
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
|
10V
|
Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
|
35mOhm @ 5,7A, 10V
|
VGS(th) (max) @ ID
|
4,9V @ 50µA
|
Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
|
20 Öffner @ 10 V
|
Vgs (Max.)
|
±20V
|
Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
|
890 pF @ 25 V
|
Verlustleistung (Max.)
|
2,2W (Ta), 42W (TC)
|
Betriebstemperatur
|
-40 ~ 150 C (TJ)
|
Montageart
|
Smd
|
Gerätepaket Des Lieferanten
|
DIRECTFET™ SJ
|
Paket/Karton
|
DirectFET™ Isometrisches SJ
|
Basisproduktnummer
|
IRF6645
|
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen