Certification: | ISO |
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Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Installation: | SMD Triode |
Working Frequency: | Overclocking |
Power Level: | High Power |
Function: | Power Triode |
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TYP
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BESCHREIBUNG
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Kategorie
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Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
Einzelne FETs, MOSFETs
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Mfr
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International Rectifier
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Serie
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HEXFET®
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Paket
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Rohr
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Produktstatus
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Veraltet
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FET-Typ
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N-Kanal
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
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60 V
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Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
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120A (TC)
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Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
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10V
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Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
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4,2mOhm @ 75A, 10V
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VGS(th) (max) @ ID
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4V @ 150µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
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120 Öffner @ 10 V
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Vgs (Max.)
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±20V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
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4520 pF @ 50 V
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FET-Funktion
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-
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Verlustleistung (Max.)
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230W (TC)
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Betriebstemperatur
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-55 ~ 175 C (TJ)
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Montageart
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Smd
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Gerätepaket Des Lieferanten
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D2PAK
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Paket/Karton
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TO-263-3, D²PAK (2 Ableitungen + Tab), TO-263AB
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