Anpassung: | Verfügbar |
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Leitfähiger Typ: | Bipolar integrierter Schaltkreis |
Integration: | GSI |
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TYP
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BESCHREIBUNG
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Kategorie
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Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
FET-, MOSFET-Arrays
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Mfr
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Toshiba Semiconductor und Storage
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Paket
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Band und Rolle (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
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Produktstatus
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Aktiv
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Konfiguration
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2 N-Kanal (Dual)
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FET-Funktion
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Logic Level Gate, 1,8V Drive
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Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
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30V
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Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
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4A (Ta)
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Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
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39,1mOhm @ 2A, 4,5V
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VGS(th) (max) @ ID
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1V @ 1mA
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Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
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3,2nC @ 4,5V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
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310pF @ 15V
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Leistung - Max
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2W (Ta)
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Betriebstemperatur
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150 GRAD CELSIUS
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Montageart
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Smd
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Paket/Karton
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6-WDFN Exposed Pad
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Gerätepaket Des Lieferanten
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6 µDFN (2 x 2)
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Basisproduktnummer
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SSM6N67
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