M10 Siliziumwafer/Siliziumwafer in Solarqualität/Halbleiterplatte in Halbleiterausführung

• Application: Temperature Measurment & Optics Applying
• Conductivity Type: All
• Purity: All
• Type: Silicon Wafer G1, M6 Wafer
• Substrat: Monokristallines Silizium
• Brennweite: +-2% @10,6um
• Modell Nr.: RAY-LH417#
• Größentoleranz: 0/-0,15mm
• Dickentoleranz: +/-10um
• Optischer Charakter: 2-5um @-Zacke weniger als 1 %; 5,5-14um @-Zacke mehr tha
• Parallelität: Weniger als 1 Lichtbogen min
• Oberflächengüte: 60-40 Scratch-DIG
• Fertigungstechnologie: optoelektronischer Halbleiter
• Material: Element Halbleiter
• Paket: Anpassung nach Bedarf
• Signalverarbeitung: Analog Digital Composite und Funktion
• Modell: Je nach Bedarf
• Chargennummer: Je nach Bedarf
• Marke: raytek
• Transportpaket: 100PCS Per Carton
• Spezifikation: custom as per demand
• Warenzeichen: raytek
• Herkunft: China
• HS-Code: 281122900
• Produktionskapazität: 100000000PCS Per Year

Produktbeschreibung

Solarer Sillicon-Wafer

Solarzellen werden in kristallines Silizium und amorphes Silizium unterteilt. Kristalline Siliziumzellen lassen sich in einzelne Kristallzellen und polykristalline Zellen unterteilen; auch die Effizienz von monokristallinem Silizium unterscheidet sich von der von polykristallinem Silizium. Im Folgenden finden Sie eine kurze Einführung in das Material von Solarsiliziumwafern und den Zweck von Solarsiliziumwafern.

Was ist das Material von Solar-Silizium-Wafer
Solarzellen werden in monokristalline Silizium-Solarzellen, polykristalline Silizium-Dünnschicht-Solarzellen und amorphe Silizium-Dünnschicht-Solarzellen unterteilt.
Eine Form von elementarem Silizium. Wenn das geschmolzene Silizium erstarrt wird, werden die Siliziumatome in einem Diamantgitter in viele Kristallkerne angeordnet. Wachsen diese Kristallkerne zu Körnern mit der gleichen Kristallebene heran, werden diese Körner parallel zu monokristallinem Silizium kombiniert.
Polysilicium ist eine Form von monokristallinem Silizium. Wenn geschmolzenes einzelnes Silizium unter überkühlenden Bedingungen erstarrt, werden Siliziumatome in Form eines Diamantgitters zu vielen Kristallkernen angeordnet. Wachsen diese Kristallkerne zu Körnern mit unterschiedlicher Kristallebene heran, kristallisieren diese Körner zu polykristallinem Silizium.

Amorphes Silizium wird aus amorphen Legierungen hergestellt. Um amorphes Silizium zu erhalten, ist eine hohe Abkühlrate erforderlich, und die spezifischen Anforderungen an die Abkühlrate hängen vom Material ab. Silizium erfordert eine sehr hohe Abkühlrate. Derzeit kann amorpher Zustand nicht durch flüssiges schnelles Abschrecken erreicht werden. In den letzten Jahren wurden viele Techniken zur Abscheidung von amorphen Siliziumfilmen entwickelt, darunter Vakuumverdampfung, Glühentladung, Sputtern und chemische Gasphasenabscheidung. Im Allgemeinen werden hauptsächlich Monosilan (SiH4), Disilan (si2h6), Siliziumtetrafluorid (SiF4) usw. mit hohen Reinheitsanforderungen verwendet. Struktur und Eigenschaften amorpher Siliziumfolien stehen in engem Zusammenhang mit dem Aufbereitungsprozess. Derzeit wird davon ausgegangen, dass die Qualität der amorphen Siliziumfolie durch Glühentladung Methode vorbereitet ist die beste, und die Ausrüstung ist nicht komplex.


Anwendung von Solarsilizium-Wafer
Wandeln Sie Lichtenergie in Strom um. Einfach ausgedrückt: Da die Energie von Photonen die Elektronenlochposition im Halbleiter-PN-Übergang aus Silizium und Germanium einstrahlt, springen die Elektronen, was zu einer Spannung im Halbleitersilium an beiden Enden führt. Bildet die Spannung einen Stromkreis, wird ein Strom erzeugt.

Spezifikation Hauptgröße:
G1,M2,M6,M10,G12

Technische Hauptdaten:

Technische Parameter des Diodenpegels 3-Zoll-Single-Crystal-Chip	Technische Parameter des Diodenpegels 4-Zoll-Single-Crystal-Chip
1. Größe 1,1 Silizium-Wafer-Durchm.  :76,2 +/- 0,4mm 1,2 Biegung: ≤0,035mm 1,3 Dickentoleranz :≤0,03 mm 1,4 Perpendicularität Die diagonalen Linien des Rechtecks im Film sind Gleich Toleranz :+/-0,5mm 2. Technische Daten 2,1 leitfähige Parameter :N Typ 2,2 Widerstand: 5-6OΩ .cm oder individuell 2,3 Minority-Carrier Lebensdauer : ≥100 μ s. 2,4 Sauerstoffgehalt : <1,0 ×1018atoms/cm3 2,5 Kohlenstoffgehalt : <5,0 × 1016atoms/cm3 2,6 Kristallausrichtung : 111± 1,50 2,7 Dislokationsdichte : ≤3000pcs /cm3 2,8 Stärke: 280-305μm	1.Größe 1,1 Silizium-Wafer Durchm.: 100±0,5mm 1,2 TTV: 0.005μm 1,3 Biegung: ≤0,030mm 2.Technische Daten 2,1 Widerstand: 5-60Ω.cm oder individuell 2,2 Leitparameter: Typ N   2,3 Minority-Carrier Lebensdauer: ≥100μs 2,4 Sauerstoffgehalt: <1×1018atoms/ cm3 2,5 Kohlenstoffgehalt : <5×1016atoms/ cm3 2,6 Kristallausrichtung: 111±1,5 Grad
Technische Parameter von 6-Zoll-Single-Crystal Chip für Solarzelle	Technische Parameter von 6-Zoll-Single Kristallchip für Solarzelle
1. Größe 1. 1 Silizium-Wafer Durchm.: 160/150±0,4mm 1. 2 Silizium Wafer Breite: 125±0,4mm 1. 3 Silizium Dicke: 200/190±20μm 1. 4 TTV: 0,03mm 1. 5 Perpendikularität Die diagonalen Linien des Rechtecks im Film sind Gleich Toleranz: ±0,5mm 1. 6 Biegung: ≤0,035mm 2. Technische Daten 2,1 Widerstand: 0,5-3Ω.cm 2,2 Leitparameter:  Typ N/P   2,3 Minority-Carrier Lebensdauer: ≥10μs 2,4 Sauerstoffgehalt: <1×1018atoms/ cm3 2,5 Kohlenstoffgehalt : <10×1016atoms/ cm3 2,6 Kristallausrichtung: (100)±2,0 Grad 2,7 Dislokationsdichte :≤ 1×103pcs/cm3	1.Größe 1. 1 Silizium-Wafer Durchm.: 195/200/205±2,0mm 1. 2 Silizium Wafer Breite: 156±0,4mm 1. 3 Silizium Dicke:: 200/190±10μm 1. 4 TTV: ≤40μm 1. 5 Perpendikularität: 90±3 1. 6 Biegung: ≤0,035mm 2. Technische Daten 2,1 Widerstand: 0,5-3/3-6Ω 2,2 Leitparameter: Typ N/P   2,3 Minority-Carrier Lebensdauer: ≥10μs 2,4 Sauerstoffgehalt: <1×1018atoms/ cm3 2,5 Kohlenstoffgehalt : <10×1016atoms/ cm3 2,6 Kristallausrichtung: (100)±2 Grad 2,7 Dislokationsdichte : ≤1×103pcs/cm3

Wichtigste Exportländer Und -Gebiete:  
Usa, Großbritannien, Japan, Deutschland, Spanien, Frankreich, Schweiz, Korea, Russland, Pakistan, Indien, Portugal, Kanada, Neuseeland, Australien, Saudi-Araber, Türkei, Finnland, Polen, etc.

Raytekoptics zusätzliche Dienstleistungen mit Mehrwert:
L 187, S. 1) Design von optischen Arbeitshandwerks- und Prozesslösungen;
L 187, S. 2) Rohwaren;
L 187, S. 3) Vorschlichten von Rohstoffen;
L 187, S. 4) Fertigen Sie benutzerdefinierte Größen und Formen;
L 187, S. 5) Entwerfen und liefern kundenspezifische Beschichtungen;
L 187, S. 6) Vom Kunden bereitgestellte Materialien ändern und neu bearbeiten;
L 187, S. 7) Bohren Sie Löcher, Kerbglas und bieten abgeschrägte Substrate;
L 187, S. 8) Präzisionsoptik mit nicht standardmäßigen Seitenverhältnissen;

Zahlungsmethode: Mit T/T oder Western Union.
Lieferzeit: 7-10 Tage.
Qualitätsgarantie:  Ruitaiphotoelectric (Raytekoptics) bietet Qualitätsgarantie  für unsere Optikprodukte mit "3R" Politik. Für alle minderwertigen Produkte ist Ruitaiphotoelectric (Raytekoptics) für die Rückgabe, den Ersatz und die Rückerstattung verantwortlich.