| Certification: | RoHS |
|---|---|
| Encapsulation Structure: | Plastic Sealed Transistor |
| Installation: | Plug-in Triode |
| Power Level: | Medium and High Power |
| Function: | Power Triode, Switching Triode |
| Structure: | NPN |
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N-Kanal-MOS-Transistoren: Metall-Oxide-Halbleiter (Metall-Oxide-Halbleiter) Transistoren werden als MOS-Transistoren bezeichnet, die in P-Typ-MOS-Röhren und N-Typ-MOS-Röhren unterteilt sind. Die integrierte Schaltung, die durch die MOS-Röhre gebildet wird, wird als integrierte MOS-Schaltung bezeichnet, und die ergänzende integrierte MOS-Schaltung, die durch die PMOS-Röhre und die NMOS-Röhre gebildet wird, ist die integrierte CMOS-Schaltung. Das Funktionsprinzip von mosfet: Um den erweiterten N-Kanal-MOSFET zum Einsatz zu bringen, werden eine positive Spannung VGS zwischen G und S und eine positive Spannung VDS zwischen D und S hinzugefügt, um eine positive Betriebsstrom-ID zu erzeugen. Durch Änderung der Spannung von VGS kann die Betriebsstrom-ID gesteuert werden.
1.Pin-Diagramm: 
Absolute Höchstwerte (Ta = 25 Grad Celsius): 2 Hinweis: Die kontinuierliche Verwendung unter hohen Belastungen (z.B. die Anwendung von hoher Temperatur/Strom/Spannung und die signifikante Temperaturänderung usw.) kann dazu führen, dass dieses Produkt die Zuverlässigkeit erheblich verringert, auch wenn die Betriebsbedingungen (d. h. Betriebstemperatur/Strom/Spannung usw.) innerhalb der absoluten Höchstwerte liegen. Bitte legen Sie die entsprechende Zuverlässigkeit fest, indem Sie das Toshiba Semiconductor Reliability Handbook („Vorsichtsmaßnahmen bei der Handhabung“/Derating Concept and Methods) und die individuellen Zuverlässigkeitsdaten (z. B. Zuverlässigkeitsprüfbericht und geschätzte Ausfallrate usw.) durchlesen.
3.Thermische Eigenschaften:
4. Elektrische Eigenschaften (Ta = 25 Grad Celsius) :
• niedriger Widerstand der Entleerungsquelle BEI EIN: RDS (EIN) = 1,0 Ω (Typ.)
• hohe Durchgangszulassung: IYfs I= 7,0 S (Typ.)
• niedriger Leckstrom: IDSS = 100 μA (max.) (VDS = 720 V)
• Erweiterungsmodell: Vth = 2,0~4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
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Vorteil:
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(Hinweis: Keine Gebühr und Steuern der Transportkosten zu tragen.)
