• G4bc30ud/Irg4bc30ud Bipolarer Isolationstransistor mit ultraschneller Soft Recovery Diode MOS-Feldeffekt to-220
  • G4bc30ud/Irg4bc30ud Bipolarer Isolationstransistor mit ultraschneller Soft Recovery Diode MOS-Feldeffekt to-220
  • G4bc30ud/Irg4bc30ud Bipolarer Isolationstransistor mit ultraschneller Soft Recovery Diode MOS-Feldeffekt to-220
  • G4bc30ud/Irg4bc30ud Bipolarer Isolationstransistor mit ultraschneller Soft Recovery Diode MOS-Feldeffekt to-220
  • G4bc30ud/Irg4bc30ud Bipolarer Isolationstransistor mit ultraschneller Soft Recovery Diode MOS-Feldeffekt to-220
  • G4bc30ud/Irg4bc30ud Bipolarer Isolationstransistor mit ultraschneller Soft Recovery Diode MOS-Feldeffekt to-220
Favoriten

G4bc30ud/Irg4bc30ud Bipolarer Isolationstransistor mit ultraschneller Soft Recovery Diode MOS-Feldeffekt to-220

Certification: RoHS
Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
Installation: Plug-in Triode
Working Frequency: Standard
Power Level: Standard
Nennspannung (dc): 600 V

Wenden Sie sich an den Lieferanten

Gold Mitglied Seit 2021

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Bewertung: 5.0/5
Handelsunternehmen
  • Überblick
  • Produktparameter
  • Detaillierte Fotos
  • Unsere Vorteile
  • Verpackung Und Versand
Überblick

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
G4BC30UD/IRG4BC30UD
Nennstrom
23,0 A
Teileserien
Irg4bc30ud
Eingangskapazität
1,10 nf
Anzahl der Stifte
3
Anstiegszeit
21,0 ns
Betriebstemperatur
-55~150 (celsius)
Paket
To-220
Durchschlagspannung (Kollektor-Emitter)
600V
Rückfahrzeit
42 ns
Nennleistung (max.)
100 W
Verlustleistung (max.)
100000 mw
Verpackung
Rohr
Transportpaket
Tube &Box
Warenzeichen
International Rectifier
Herkunft
Make in China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
100000pieces/Years

Produktbeschreibung

Produktparameter

1.Pin-Diagramm:

G4bc30ud/Irg4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode MOS Field Effect to-220, IC, Electronic Components, Integrated Circuit

2.Absolute Maximale Nennwerte:

G4bc30ud/Irg4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode MOS Field Effect to-220, IC, Electronic Components, Integrated Circuit

3.Elektrische Merkmale @ TJ = 25 C (sofern nicht anders angegeben):

G4bc30ud/Irg4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode MOS Field Effect to-220, IC, Electronic Components, Integrated Circuit

4.Schalteigenschaften @ TJ = 25 C (sofern nicht anders angegeben):

G4bc30ud/Irg4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode MOS Field Effect to-220, IC, Electronic Components, Integrated Circuit

Detaillierte Fotos

G4bc30ud/Irg4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode MOS Field Effect to-220, IC, Electronic Components, Integrated CircuitG4bc30ud/Irg4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode MOS Field Effect to-220, IC, Electronic Components, Integrated Circuit

Unsere Vorteile

Warum wählen Sie uns :
Vorteil:

1.Produce Bereich
Yangjiang RUIXIAO Enterprise Co,.Ltd, Major in der elektronischen Komponente, die eine breite Palette von Produkten haben,
Wie IC, Widerstand, Kondensator, mosfet, Dioden, Modul, LED, Relais, lcd. leiterplatte . und so. Die Marke beinhaltet: SCHARF, LEISTUNG, , NXP, NS, EIN, ST , IR, VISHAY , TOSHIBA, FAIRCHILD,MICROCHIP, ATMEL,EVERYLIGHT alle Arten von elektronischen Komponenten, die Sie benötigen, finden Sie hier .
G4bc30ud/Irg4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode MOS Field Effect to-220, IC, Electronic Components, Integrated Circuit


2.Anwendungsbereich
Das Produkt ist weit verbreitet in der Automobilindustrie Steuerung, neue Energie Industrie, Audio, Haushaltsgeräte Ausrüstung, Kommunikation industry.it kann die vielfältigen Bedürfnisse von erfüllen Kunden
G4bc30ud/Irg4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode MOS Field Effect to-220, IC, Electronic Components, Integrated Circuit

3.service:
Mit dem Firmenmotto "User first, Customer first" , Qualitätssicherung , wirtschaftlicher Preis , Schnelle Lieferzeit ist unser einziger Glaube. Wir werden unser Bestes versuchen, um jeden Kunden die  flexibelsten, effizientesten Dienstleistungen zu genießen.Wir hoffen aufrichtig, dass wir die gemeinsame Entwicklung und Zusammenarbeit mit dem Kunden gemeinsam suchen können, um eine Win-Win-Situation zu erreichen.
G4bc30ud/Irg4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode MOS Field Effect to-220, IC, Electronic Components, Integrated Circuit

 

Verpackung Und Versand

4.Logistik:
Wir können die Ware direkt über die internationale Logistik in das Land des Kunden versenden. Egal, ob per Flugzeug oder auf dem Seeweg.  
Wir werden unser Bestes versuchen, um den Kunden zu lassen, um das Paket bequemer zu bekommen.
(Hinweis: Keine Gebühr und Steuern der Transportkosten zu tragen.)

G4bc30ud/Irg4bc30ud Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode MOS Field Effect to-220, IC, Electronic Components, Integrated Circuit

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an Lieferanten

*von:
*bis:
*Meldung:

Geben Sie zwischen 20 bis 4.000 Zeichen.

Das ist nicht das, wonach Sie suchen? Jetzt Beschaffungsanfrage Posten

Ähnliche Produkte nach Kategorie suchen

Startseite des Anbieters Produkte Triode G4bc30ud/Irg4bc30ud Bipolarer Isolationstransistor mit ultraschneller Soft Recovery Diode MOS-Feldeffekt to-220

Vielleicht Gefällt Dir

Wenden Sie sich an den Lieferanten

Gold Mitglied Seit 2021

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Bewertung: 5.0/5
Handelsunternehmen
Art des Eigentums
Gesellschaft mit beschränkter Haftung