High Power Transistoren Tip36c Einzeltransistor bipolar, PNP, Komplementärtransistor, Elektronische Komponenten, integrierte Schaltung, Küchenausstattung

• Zertifizierung: RoHS, Isc
• Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
• Installation: Solder
• Arbeitsfrequenz: Standard
• Leistungspegel: Hohe Energie
• Funktion: Macht Triode
• Modell Nr.: TIP36C
• Struktur: NPN
• Stoff: Silizium
• Nennspannung (dc): 100 V
• Nennstrom: 25,0 A
• Nennleistung: 125 W
• Frequenz: 3 MHz
• Anzahl der Stifte: 3
• Polar: pnp, P-Kanal
• dc-Stromverstärkung (hfe): 50
• Betriebstemperatur: -65~150 (celsius)
• Verpackung: Rohr
• Transportpaket: Box
• Spezifikation: TO-247
• Herkunft: Make in China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: 100000pieces/Years

Produktbeschreibung

Spezifikationen

Der tip36c ist ein Cilicon-NPN-Transistor mit epitaxialer Basis in TO-247-Kunststoffgehäuse für allgemeine Leistungsverstärker und Schaltanwendungen.
• 25 A Kollektorstrom
• niedriger Leckstrom - I CEO = 1,0 mA @ 30 und 60 V
• ausgezeichnete DC-Verstärkung - h FE = 40 Typ @ 15 A
• High Current Gain Bandwidth Product - (h fe )= 3,0 min @ i C = 1,0 A,
f = 1,0 MHz
Teilenummer: TIP36C  
Marke:ST
Typ: Andere IC
Paket:Tube

1.MAXIMALE BEWERTUNGEN
Bewertung	Symbol	Tip36c	Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung	V CEO	100V	Vdc
Kollektor-Bass-Spannung	V CB	100V	Vdc
Emitter-Bass-Spannung	V EB	5,0	Vdc
Colleator Strom - Kontinuierlich                              Spitze (1)	I C	25 40	Adu
Basisstrom - Kontinuierlich	I B	5,0	Adu
Gesamtstromableitung    @TC=25ºC Leistungsminderung über 25ºC	P D	125 1,0	Watt W/ºC
Zusammenführung von Betrieb und Lagerung Temperaturbereich	T J , T STG	-65 Bis +150	ºC
Freigeschaltete induktive Last	E SB	90	MJ
THERMISCHE EIGENSCHAFTEN
Merkmal	Symbol	max	Einheit
Wärmewiderstand, Abzweigung zum Gehäuse	R θJC	1,0	ºC/W
Thermischer Widerstand Zwischen Abzweigstelle Und Freiluft	R θJA	35,7	ºC/W

2.ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (T C = 25ºC, sofern nicht anders angegeben)

Merkmal	Symbol	Min	Max	Einheit
AUS-MERKMALE
Collector-Emitter Sustaining Voltage (1) (I C = 30 MA, I B = 0)	V CEO(sus)	100	--	Vdc
Cutoff-Strom Kollektor-Emitter (V CE = 30 V, I B = 0) (V CE = 60 V, I B = 0)	ICH CEO	-- --	1,0	MA
Cutoff-Strom Kollektor-Emitter (V CE = BEWERTET V CEO , V EB = 0)	I CES	--	0,7	MA
Abschaltstrom Sender-Basis (V EB = 5,0 V, I C = 0)	I EBO	--	1,0	MA
ÜBER MERKMALE (1)
DC-Stromverstärkung (I C = 1,5 A, V CE = 4,0 V) (I C = 15 A, V CE = 4,0 V)	H ie	25 15	--- 75	____
Kollektor-Emitter-Sättigung (I C = 15 A, I B = 1,5 A) (I C = 25 A, I B = 5,0 A)	V CE (Sat)	-- --	1,8 4,0	Vdc
Base-Emitter-Ein-Spannung (I C = 15 A, V CE = 4,0 V) (I C = 25 A, V CE = 4,0 V)	V BE(ein)	-- ____	2,0 4,0	Vdc
DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN
Kleinsignal-Stromverstärkung (I C = 1,0 A, V CE = 10 V, F = 1,0 KHZ)	H fe	25	____	____
Stromverstärkung - Bandwidth Product (I C = 1,0 A, V CE = 10 V, F = 1,0 MHZ)	f T	3,0	____	MHz

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