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Der MOS-Feldeffekttransistor ist ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, abgekürzt MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor, also ein Feldeffekttransistor eines Metall-Oxid-Halbleiters), der zum Typ des isolierten Gates gehört. Zwischen dem Metalltor und dem Kanal befindet sich eine Siliziumdioxid-Isolierschicht, die einen sehr hohen Eingangswiderstand (bis zu 1015Ω) aufweist. Es ist auch in N-Kanal-Rohr und P-Kanal-Rohr unterteilt. Normalerweise sind das Substrat (Substrat) und die Quelle S miteinander verbunden.
Je nach dem verschiedenen Leitungsmodus wird MOSFET in den Erweiterungstyp und den Depletion-Typ unterteilt. Der sogenannte Enhanced Type bezieht sich auf: Wenn VGS=0, befindet sich das Rohr in einem Off-Zustand; nach Zugabe des richtigen VGS wird die Mehrheit der Träger zum Tor angezogen, wodurch die Träger in diesem Bereich "verstärkt" werden und ein leitfähiger Kanal Tao gebildet wird. Der Depletion-Typ bedeutet, dass bei VGS=0 ein Kanal gebildet wird und wenn die richtige VGS hinzugefügt wird, die meisten Träger aus dem Kanal fließen können, wodurch die Träger "erschöpft" werden und das Rohr ausgeschaltet wird.
Am Beispiel des N-Kanals wird es auf einem P-Typ-Siliziumsubstrat mit zwei Quelldiffusionsregionen N+ und Drain-Diffusionsregionen N+ mit einer hohen Dopingkonzentration hergestellt, und dann werden die Quelle S und der Drain D jeweils herausgeführt. Quelle und Substrat sind intern miteinander verbunden, und beide behalten immer das gleiche Potential. Die Richtung des Potentials ist von außen nach innen, also vom P-Typ-Material (Substrat) zum N-Typ-Kanal. Wenn der Drain an den Pluspol des Netzteils angeschlossen ist und die Quelle an den Minuspol des Netzteils und VGS=0 angeschlossen ist, ist der Kanalstrom (d. h. der Drain-Strom) ID=0. Mit der allmählichen Zunahme von VGS, angezogen durch die positive Spannung des Gates, werden negativ geladene Minderheitsträger zwischen den beiden Diffusionsregionen induziert und bilden einen N-artigen Kanal vom Abfluss zur Quelle. Wenn VGS größer als die Röhre ist, wenn die Einschaltspannung VTN (normalerweise ca. +2V) erreicht ist, beginnt die N-Kanal-Röhre zu leiten und bildet eine Drain-Strom-ID.
• Südspannung UG
• Kontrolle der ID des Abflussstroms
• hohe Eingangsimpedanz
• geringe Geräuschentwicklung
• großer Dynamikbereich
• niedriger Stromverbrauch
• einfach zu integrieren
• Feldeffektröhre kann zur Verstärkung verwendet werden. Da die Eingangsimpedanz des Feldeffektrohrverstärkers sehr hoch ist, Der Kopplungskondensator kann eine geringere Kapazität haben, und es ist nicht notwendig, einen Elektrolytkondensator zu verwenden.
• die hohe Eingangsimpedanz der Feldeffektröhre ist sehr gut für die Impedanztransformation geeignet. Es wird oft für verwendet Impedanzumwandlung in der Eingangsstufe eines mehrstufigen Verstärkers.
• die Feldeffektröhre kann als variabler Widerstand verwendet werden.
• die Feldeffektröhre kann bequem als Konstantstromquelle genutzt werden.
• die Feldeffektröhre kann als elektronischer Schalter verwendet werden.
1. Vorbereitung:
Vor der Messung den menschlichen Körper kurz mit Masse kurzschließen, bevor die Stifte des MOSFET berührt werden. Es ist am besten, einen Draht an das Handgelenk zu verbinden, um mit der Erde zu verbinden, so dass der menschliche Körper und die Erde eine Äquipotentialverbindung aufrecht erhalten. Trennen Sie die Stifte erneut, und entfernen Sie dann die Drähte.
2. Bestimmen Sie die Elektrode:
Das Multimeter auf das R×100-Gangrad stellen und zuerst das Gitter bestimmen. Wenn der Widerstand eines Pins und anderer Pins unendlich ist, beweist dies, dass dieser Pin das Raster G ist. die Messleitungen austauschen und erneut messen, der Widerstandswert zwischen S-D sollte mehrere hundert Ohm bis mehrere tausend Ohm betragen. Die schwarze Messleitung ist mit dem D -Pol und die rote Messleitung mit dem S -Pol verbunden, wobei der Widerstandswert geringer ist. Bei den in Japan produzierten Produkten der Serie 3SK ist der S -Pol mit der Schale verbunden, so dass der S -Pol leicht zu bestimmen ist.
3. Überprüfen Sie die Amplifikationsfähigkeit (Transkonduktanz):
Hängen Sie den G -Pol in die Luft, verbinden Sie die schwarze Messleitung mit dem D -Pol und die rote Messleitung mit dem S -Pol, und berühren Sie dann den G -Pol mit Ihrem Finger, die Nadel sollte eine größere Durchbiegung haben. Der Doppelgatter-MOS-Feldeffekttransistor hat zwei Gatter G1 und G2. Um zu unterscheiden, können Sie die G1 und G2 Pole mit Ihren Händen berühren, und der G2 Pole ist derjenige mit der größeren Ablenkung der Hand nach links.
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