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Schottky-Dioden sind Metall-Halbleiter-Bauelemente aus Edelmetallen (Gold, Silber, Aluminium, Platin, etc.) A als Anode und N-Halbleiter B als Kathode. Die auf der Kontaktfläche der beiden gebildeten Barriere weist Rektifikationskarakteristiken auf. Da es in N-Halbleitern eine große Anzahl von Elektronen gibt und es in Edelmetallen nur eine sehr geringe Menge freier Elektronen gibt, diffundieren Elektronen von der hohen Konzentration von B bis zur niedrigen Konzentration von A. offensichtlich gibt es keine Löcher in Metall A, Und es gibt keine Diffusionsbewegung von Löchern von A nach B. Da Elektronen weiterhin von B nach A diffundieren, nimmt die Elektronenkonzentration auf der Oberfläche von B allmählich ab und die elektrische Neutralität der Oberfläche wird zerstört, so dass eine potenzielle Barriere gebildet wird, Und die Richtung des elektrischen Feldes ist B→A. Aber unter der Wirkung dieses elektrischen Feldes erzeugen die Elektronen in A auch eine Driftbewegung von A→B und schwächen damit das elektrische Feld, das durch die Diffusionsbewegung gebildet wird. Wenn ein Raumladeraum mit einer bestimmten Breite hergestellt wird, erreichen die durch das elektrische Feld hervorgerufene Driftbewegung der Elektronen und die durch unterschiedliche Konzentrationen verursachte Diffusionsbewegung der Elektronen ein relatives Gleichgewicht und bilden eine Schottky-Barriere.
Die interne Schaltungsstruktur eines typischen Schottky-Gleichrichters basiert auf einem N-Typ-Halbleiter, auf dem sich eine N-Epitaxieschicht mit Arsen als Dotierstoff bildet. Die Anode verwendet Materialien wie Molybdän oder Aluminium, um eine Barrierelage zu bilden. Verwenden Sie Siliziumdioxid (SiO2), um das elektrische Feld im Randbereich zu eliminieren und die Spannung des Röhrchens zu verbessern. Das N-Substrat hat einen geringen On-State-Widerstand und seine Dotierungskonzentration ist 100% höher als die der H-Schicht. Unter dem Substrat entsteht eine N+ Kathodenschicht, deren Funktion es ist, den Kontaktwiderstand der Kathode zu reduzieren. Durch die Anpassung der Strukturparameter wird eine Schottky-Barriere zwischen dem N-Substrat und dem Anodenmetall gebildet, wie in der Abbildung dargestellt. Wenn an beiden Enden der Schottky-Barriere eine Vorwärtsneigung angewendet wird (das Anodenmetall ist mit dem Pluspol der Stromversorgung verbunden, Und das N-Substrat wird mit dem negativen Pol des Netzteils verbunden), die Schottky-Barrierelage wird schmaler und ihr Innenwiderstand wird kleiner; Im Gegenteil: Wenn an beiden Enden der Schottky-Barriere eine umgekehrte Vorspannung angewendet wird, wird die Schottky-Barrierelage breiter und ihr Innenwiderstand größer.
Zusammenfassend unterscheidet sich das Strukturprinzip des Schottky-Gleichrichters sehr stark vom PN-Gleichrichter. PN-Gleichrichter wird normalerweise als Gleichrichter bezeichnet, und Metall-Halbleiter-Gleichrichter wird Schottky-Gleichrichter genannt. . Schottky Gleichrichterdiode (SBD) ist eine Gleichrichterdiode mit Schottky-Charakteristik "Metall-Halbleiter-Diaphragma". Die Vorwärtsspannung ist niedrig. Neben dem Wolfram-Material kann die Metallschicht auch aus Gold, Molybdän, Nickel, Titan und anderen Materialien hergestellt werden. Es ist weit verbreitet für seine schnelle Schaltgeschwindigkeit, große Gleichstromstärke, Spannungsabfall und geringe Leistungsaufnahme verwendet, und ist besonders geeignet für Hochfrequenz-Gleichrichterschaltungen und große Stromgleichrichterschaltungen.
1.Pin-Diagramm : 
2.Maximale Nennwerte:
3.Thermische Eigenschaften:
4.Elektrische Eigenschaften:
Schottky-Diode Schottky-Diode, auch als Schottky-Barriere-Diode (kurz SBD) bekannt, ist ein Halbleiterbauelement mit geringer Leistung und ultrahoher Geschwindigkeit. Das bemerkenswerteste Merkmal ist, dass die Rückkehrerholzeit extrem kurz ist (kann so klein wie ein paar Nanosekunden sein), und der Vorwärtsspannungsabfall nur etwa 0,4V beträgt. Es wird hauptsächlich als Hochfrequenz-, Niederspannungs-, Hochstrom-Gleichrichterdioden, Freilaufdioden, Schutzdioden, Und auch nützlich als Gleichrichterdioden und Kleinsignal-Detektordioden in Schaltungen wie Mikrowellen-Kommunikation. Es ist häufiger in Kommunikationsnetzteilen, Wechselrichtern, etc. EINE typische Anwendung ist in der Schaltschaltung eines bipolaren Transistors BJT. Durch den Anschluss einer Shockley-Diode an die BJT-Klemme ist der Transistor tatsächlich in der Nähe des aus-Zustands, wenn der Transistor eingeschaltet ist, wodurch die Schaltgeschwindigkeit des Transistors erhöht wird. Diese Methode wird in den internen TTL-Schaltungen typischer digitaler ICs wie 74LS, 74ALS und 74AS verwendet. Das größte Merkmal von Schottky-Dioden ist, dass der Vorwärtsspannungsabfall VF relativ klein ist. Bei gleichem Strom ist der Spannungsabfall bei gleicher Stromstärke viel geringer. Darüber hinaus ist die Wiederherstellungszeit kurz. Es hat auch einige Mängel: Die Spannung ist relativ niedrig, und der Leckstrom ist etwas größer. Sie muss bei der Auswahl vollständig berücksichtigt werden.
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