• Silizium Keramik Discrete Gerät Metallofen Thyristoren Ka
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Silizium Keramik Discrete Gerät Metallofen Thyristoren Ka

Anwendung: Induktionsofen-Heizung
Batch Nummer: 2021+
Fertigungstechnologie: Discrete Device
Material: Element Semiconductor
Modell: Scrka 500A/1200V
Paket: Vorspacs

Kontakt Lieferant

Diamond-Mitglied Seit 2018

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Bewertung: 5.0/5
Tianjin, China
Hohe Auswahl für Wiederholungskäufer
Mehr als 50 % der Käufer entscheiden sich immer wieder für den Lieferanten
Lagerkapazität
Der Lieferant verfügt über Lagerkapazitäten
Schnelle Lieferung
Der Lieferant kann die Ware innerhalb von 15 Tagen liefern
F&E-Fähigkeiten
Der Lieferant verfügt über 1 Forschungs- und Entwicklungsingenieure. Weitere Informationen finden Sie unter Audit Report
, um alle verifizierten Stärkelabels (7) anzuzeigen.
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  • Unsere Vorteile
  • Produktparameter
  • Werk
  • Zertifizierungen
Überblick

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
Ka Series
Signalverarbeitung
Gitter-Trigger-Steuerung
Typisieren
P-Type Semiconductor
Verwendung
Hohe Kraftübertragung
Qualität
Garantiert bei normalem Betrieb
anz
Abgestimmt
Leistung
Verteilen Sie das Gate-Design
Besondere Verwendung
svc-Softstart-Modul
Kühlung
Doppelt gekühlt
Ausgestattet
Kühlkörper verfügbar
Element
Inverter Thyristor
Funktion
Stromversorgung des Ofens
Preislaufzeit
FOB, cfr, exw
Versand
Cusotmized
Zuverlässigkeit
Hoch
Design
Angepasst
Zahlung
tt oder selektiv
Probe
Auf Bestellung angeboten
Marke
Segelschiff
Transportpaket
Carton Box
Spezifikation
490*330*200 packing size
Warenzeichen
SAILTON
Herkunft
China
HS-Code
8541300000
Produktionskapazität
150000 PCS/Year

Produktbeschreibung

Silizium Keramik diskrete Gerät Metallofen Thyristoren ka

Silicon Ceramic Discrete Device Metal Furnace Thyristors Ka
Silicon Ceramic Discrete Device Metal Furnace Thyristors Ka

Unsere Vorteile


Hochfrequenz-Thyristor

KA SCR

Das Vakuum-geschlossene Rohr wird für den gesamten Prozess der Aluminiumdiffusion verwendet.

Die Gate-Elektrodenstruktur wird eingeführt.

Ausgezeichnete dynamische Eigenschaften, anwendbare Frequenz: 2,5kHz-20kHz.

Kaltdruckpaket aus flacher Keramikrohrhülle.

Doppelte Kühlung ermöglicht Serien- und Parallelanschlüsse.

Minimale Betriebstemperatur: Tjmin=-40.

7.Notes:1.Tj = 125ºC

          2.tq@200Vµs

         3.IT(AV)@TH = 55ºC
 

Schnell schaltende Thyristor ist ein schnell abschaltende Halbleiterbauelement, auch "Inverter Thyristor", "Fast Thyristor" genannt.schnell schaltende Thyristor ist eine sehr wichtige Thyristor-Komponente auf der Ofenstromversorgung.

Wir liefern verschiedene Formen von schnell schaltenden Thyristor, der auch als schnell Thyristor. Es ist ein schnelles Ausschalten Thyristor. Unser schneller Thyristor enthält einen Standard-Thyristor mit schneller Schaltung und einen mittelfrequenten schnellen Thyristor. Der Strombereich liegt zwischen 500A und 4000A, der Spannungsbereich zwischen 1000V und 4500V. Der TQ-Wert hat 10-25us,30-50us und 50-70US. Dank der ausgezeichneten schnellen ein- und Ausschaltleistung sind unsere schnellen Thyristoren im Wechselrichterkreis heiß einsetzbar. Zum Beispiel Induktionsheizung, Thyristor Frequenzumrichter, Ofen Stromversorgung, Inverter Gerät, etc.

Zusammen mit der Anwendung von Hochfrequenz- und Mittelfrequenz-Geräten erfordern schnelle Thyristoren niedrigere tq-Werte. Wir optimieren kontinuierlich die tq-Werte des schnell schaltenden Thyristors, um die Anforderungen des Kunden zu erfüllen.

Disc-Typ Fast Switching Thyristoren sind im Volksmund auf Metallschmelzflächen verwendet, Induktions-Heizofen, Schmelzofen, ARC-Ofen, Vakuumofen, Thyristor-Frequenzumrichter.

 

Produktparameter


Detailliertes Datenblatt zur Auswahl

Teilenr   IT (AV) VDRM
VRRM
ITSM
50HZ
VTM ITM VGT IGT tq Rthjc Übersicht
A) (V) (KA) (V) A) (V) (MA) (µs) (ºC/W)
KA200/1200 200 1200 3,8 2,4 600 3/200 8~15 0,08 T6
KA300/1200 300 5,7 2,4 900 0,04 T7
KA500/1200 500 9 2,4 1500 0,031 T9
KA800/1200 800 15 2,4 2000 3/250 0,026 T10
KA1000/1200 1000 19 2,4 3000 3.5/300 0,021 T11
Anmerkungen:  1,Tj = 125ºC
         2,tq@200Vµs
       3,IT(AV)@TH = 55ºC      


Umrissgröße:

Silicon Ceramic Discrete Device Metal Furnace Thyristors Ka


Anwendung

Silicon Ceramic Discrete Device Metal Furnace Thyristors Ka
 

Werk

 

Werk

Silicon Ceramic Discrete Device Metal Furnace Thyristors Ka
Silicon Ceramic Discrete Device Metal Furnace Thyristors Ka
Silicon Ceramic Discrete Device Metal Furnace Thyristors Ka
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Zertifizierungen

 


Silicon Ceramic Discrete Device Metal Furnace Thyristors Ka
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