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BAS21.215 250V 0,2A SCHALTDIODE

shape: hqfp64
Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Semiconductor IC
fertigung: nexperia
d/C: 22+

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Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
BAS21
Paket
SOT23
Qualität
Original neues Original
Transportpaket
Box
Herkunft
China
HS-Code
8542399000
Produktionskapazität
1000000PCS

Produktbeschreibung

Beschreibung

BAS21:  DIODE GP 200V 200MA TO236AB

Mfr. Teil#: BAS21

MFR.: NEXPERIA

Datenblatt:  BAS21,215 250V 0.2A SWITCHING DIODE(E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  BAS21,215 250V 0.2A SWITCHING DIODE

Qualität: 100% Original

Garantie: EIN JAHR
 

Produktstatus
Aktiv
 
Technologie
Standard
 
Spannung - DC Reverse (VR) (max.)
200 V
 
Strom - Durchschnitt Korrigiert (Io)
200mA
 
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max.) @ Wenn
1,25 V @ 200 mA
 
Geschwindigkeit
Kleinsignal =< 200mA (IO), beliebige Geschwindigkeit
 
Rückkehrzeit (trr)
50 ns
 
Strom - Rücklauf Leckage @ Vr
100 Na @ 200 V
 
Kapazität @ VR, F
5pF @ 0V, 1MHz
 
Montageart
Smd
 
Paket/Karton
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Gerätepaket Des Lieferanten
TO-236AB
 
Betriebstemperatur - Anschlussstelle
150 oC (max.)
 
Basisproduktnummer
BAS21


Hochspannungs-Schaltdiode in einem kleinen SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device) SOT23 gekapselt.


ANWENDUNG
• Hochgeschwindigkeit Schalten bei Hochspannung • Hochspannung allgemeine-Zweck Schalten • Spannungsklemmung • Verpolungsschutz







BAS21,215 250V 0.2A SWITCHING DIODE


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