shape: | hqfp64 |
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Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
fertigung: | nexperia |
d/C: | 22+ |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
BAS21: DIODE GP 200V 200MA TO236AB
Mfr. Teil#: BAS21
MFR.: NEXPERIA
Datenblatt: (E-Mail oder Chat für PDF-Datei)
ROHS-Status:
Qualität: 100% Original
Garantie: EIN JAHR
Produktstatus
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Aktiv
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Technologie
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Standard
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Spannung - DC Reverse (VR) (max.)
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200 V
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Strom - Durchschnitt Korrigiert (Io)
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200mA
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Spannung - Vorwärts (Vf) (Max.) @ Wenn
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1,25 V @ 200 mA
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Geschwindigkeit
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Kleinsignal =< 200mA (IO), beliebige Geschwindigkeit
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Rückkehrzeit (trr)
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50 ns
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Strom - Rücklauf Leckage @ Vr
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100 Na @ 200 V
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Kapazität @ VR, F
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5pF @ 0V, 1MHz
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Montageart
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Smd
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Paket/Karton
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Gerätepaket Des Lieferanten
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TO-236AB
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Betriebstemperatur - Anschlussstelle
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150 oC (max.)
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Basisproduktnummer
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BAS21
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Hochspannungs-Schaltdiode in einem kleinen SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device) SOT23 gekapselt.
ANWENDUNG
• Hochgeschwindigkeit Schalten bei Hochspannung • Hochspannung allgemeine-Zweck Schalten • Spannungsklemmung • Verpolungsschutz
Hinweis: