gestalten: | hqfp64 |
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Leitfähige Typ: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Halbleiter-IC |
fertigung: | onsemi |
d/C: | 22+ |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
FDS4435BZ: P-Kanal 30 V 8,8A (Ta) 2,5W (Ta) SMD 8-SOIC
Mfr. Teil#: FDS4435BZ
MFR.: ONSEMI
Datenblatt: (E-Mail oder Chat für PDF-Datei)
ROHS-Status:
Qualität: 100% Original
Garantie: EIN JAHR
Produktstatus
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Aktiv
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FET-Typ
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P-Kanal
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
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30 V
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Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
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8,8A (Ta)
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Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
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4,5V, 10V
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Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
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20mOhm @ 8,8A, 10V
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VGS(th) (max) @ ID
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3V @ 250µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
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40 Öffner @ 10 V
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Vgs (Max.)
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±25V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
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1845 pF @ 15 V
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FET-Funktion
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-
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Verlustleistung (Max.)
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2,5W (Ta)
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Betriebstemperatur
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-55 ~ 150 C (TJ)
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Montageart
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Smd
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Gerätepaket Des Lieferanten
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8-SOIC
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Paket/Karton
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8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90mm Breite)
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Basisproduktnummer
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FDS4435
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Dieser P−Kanal MOSFET wird mit dem fortschrittlichen POWERTRENCH-Prozess VON ON Semiconductor hergestellt, der speziell auf die Minimierung des ON−-Zustandswiderstands zugeschnitten ist. Dieses Gerät eignet sich gut für Anwendungen zur Energieverwaltung und Lastumschaltung, die in Notebooks und tragbaren Akkupacks üblich sind.
Hinweis: