• FDS4435BZ P-Kanal 30V 20mΩ SMD-MOSFET für PowerTrench
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FDS4435BZ P-Kanal 30V 20mΩ SMD-MOSFET für PowerTrench

gestalten: hqfp64
Leitfähige Typ: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Halbleiter-IC
fertigung: onsemi
d/C: 22+

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Diamond-Mitglied Seit 2018

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
FDS4435BZ
Paket
sop8
Qualität
Original neues Original
Transportpaket
Kasten
Herkunft
China
HS-Code
8542390000
Produktionskapazität
1000000PCS

Produktbeschreibung

Beschreibung

FDS4435BZ:   P-Kanal 30 V 8,8A (Ta) 2,5W (Ta) SMD 8-SOIC

Mfr. Teil#: FDS4435BZ

MFR.: ONSEMI

Datenblatt:  FDS4435BZ P-Channel 30V 20mΩ Surface Mount PowerTrench Mosfet(E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  FDS4435BZ P-Channel 30V 20mΩ Surface Mount PowerTrench Mosfet

Qualität: 100% Original

Garantie: EIN JAHR

 

Produktstatus
Aktiv
 
FET-Typ
P-Kanal
 
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
 
Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
30 V
 
Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
8,8A (Ta)
 
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4,5V, 10V
 
Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8,8A, 10V
 
VGS(th) (max) @ ID
3V @ 250µA
 
Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
40 Öffner @ 10 V
 
Vgs (Max.)
±25V
 
Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
1845 pF @ 15 V
 
FET-Funktion
-
 
Verlustleistung (Max.)
2,5W (Ta)
 
Betriebstemperatur
-55 ~ 150 C (TJ)
 
Montageart
Smd
 
Gerätepaket Des Lieferanten
8-SOIC
 
Paket/Karton
8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90mm Breite)
 
Basisproduktnummer
FDS4435



Dieser P−Kanal MOSFET wird mit dem fortschrittlichen POWERTRENCH-Prozess VON ON Semiconductor hergestellt, der speziell auf die Minimierung des ON−-Zustandswiderstands zugeschnitten ist. Dieses Gerät eignet sich gut für Anwendungen zur Energieverwaltung und Lastumschaltung, die in Notebooks und tragbaren Akkupacks üblich sind.






FDS4435BZ P-Channel 30V 20mΩ Surface Mount PowerTrench Mosfet


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