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IC USB-SWITCH TS3USB30ERSWR

gestalten: SMD
Leitfähige Typ: Unipolare Integrated Circuit
Integration: ULSI
Technics: Dünnfilm-IC
Application: Standard Generalized Integrated Circuit
Type: Analog IC

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
TS3USB30ERSWR
fertigung
TI
d/C
17+
Paket
Uqfn-10
Qualität
Original neues Original
Transportpaket
Box
Herkunft
China
HS-Code
8542390000
Produktionskapazität
1000000PCS

Produktbeschreibung

Beschreibung

TS3USB30ERSWR: Analoger Switch Dual SPDT 10-polige UQFN T/R - Band und Rolle

Paket: UQFN-10

Mfr. Teil#: TS3USB30ERSWR

MFR.: TI
Datenblatt:  IC USB analog SWITCH TS3USB30ERSWR(E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  IC USB analog SWITCH TS3USB30ERSWR

Qualität: 100% Original

Garantie: 180 Tage
 

Der TS3USB30E ist ein Switch mit hoher Bandbreite, der speziell für das Schalten von Hochgeschwindigkeits-USB 2,0-Signalen in Handset- und Consumer-Anwendungen wie Mobiltelefonen, Digitalkameras und Notebooks mit Hubs oder Controllern mit begrenzten USB-I/OS entwickelt wurde. Die große Bandbreite (900 MHz) dieses Schalters ermöglicht die Übertragung von Signalen mit minimaler Flanke- und Phasenverzerrung. Das Gerät multiplext differenzielle Ausgänge eines USB-Hostgeräts auf einen von zwei entsprechenden Ausgängen. Der Schalter ist bidirektional und bietet nur geringe oder keine Dämpfung der Hochgeschwindigkeitssignale an den Ausgängen. Es ist für geringe Bit-zu-Bit-Verzerrung und hohe Kanal-zu-Kanal-Rauschunterdrückung ausgelegt und ist mit verschiedenen Standards kompatibel, wie z. B. High-Speed USB 2,0 (480 Mbps).

Das TS3USB30E integriert ESD-Schutzzellen an allen Pins, ist in einem winzigen µQFN-Gehäuse (1,8 mm × 1,4 mm), einem DGS-Gehäuse erhältlich und zeichnet sich über den freien Lufttemperaturbereich von -40 85 C bis C aus

 

Hauptfunktionen

  • VCC -Betrieb bei 3 V bis 4,3 V
  • 1,8-V-kompatible Steuerstift-Eingänge
  • IOFF unterstützt den teilweisen Abschaltmodus
    • D+/D- Pins tolerieren bis zu 5,25V
  • Ron = 10 Ω Max
  • ΔON = 0,35 Ω Typ
  • CIO(EIN) = 7,5 pF Typ
  • Geringer Stromverbrauch (max. 1 µA)
  • -3 dB Bandbreite = 900 MHz Typ
  • Latch-up-Leistung überschreitet 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II(1)
  • ESD-Leistung getestet gemäß JESD 22
  • 8000-V-Modell für den menschlichen Körper (A114-B, Klasse II)
  • 1000-V-Modell mit aufgeladenem Gerät (C101)
  • ESD-Performance-E/A-Port zu GND(2)
  • 15000-V-Modell für Mensch und Körper
  • Verpackt in 10-poligem TQFN (1,4 mm × 1,8 mm)





Warum wir uns entscheiden

  • Das Hotel befindet sich in Shenzhen, dem elektronischen Marktzentrum Chinas.
  • 100% Garantie Komponenten Qualität: Original Original.
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  • Schneller Versand: Auf Lager können Komponenten noch am selben Tag versendet werden.
  • 24-Stunden-Service  

 

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