• IKW40N120T2 K40T1202 Transistor-IGBT-Chip
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IKW40N120T2 K40T1202 Transistor-IGBT-Chip

gestalten: SMD
Leitfähige Typ: Bipolar Integrated Circuit
Integration: SSI
Technics: Halbleiter-IC
Application: Standard Generalized Integrated Circuit
Type: Digital IC

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Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
IKW40N120T2
fertigung
INFINEON
Qualität
Original neues Original
Paket
To-247
d/C
18+
Transportpaket
Box
Spezifikation
integrated circuit
Herkunft
China
HS-Code
8542390000
Produktionskapazität
1000000PCS

Produktbeschreibung

Beschreibung

IKW40N120T2:   IGBT-TRANSISTOREN MIT GERINGEM VERLUST, DUOPACK 1200V 40A

Paket: TO-247

Mfr. Teil#: IKW40N120T2

MFR.: INFINEON

Datenblatt:  IKW40N120T2 K40T1202 Transistor IGBT Chip(E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  IKW40N120T2 K40T1202 Transistor IGBT Chip

Qualität: 100% Original

Garantie: 180 Tage
 

 

Die TRENCHSTOP IGBT-Technologie von Infineon führt durch die Kombination von trenchstop-Cell und Fieldstop-Konzept zu einer deutlichen Verbesserung der statischen und dynamischen Leistungsfähigkeit des Geräts. Die Kombination von IGBT mit Soft Recovery Emitter-gesteuerter Diode minimiert die Einsteuerverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.

Hauptfunktionen

  • Niedrigster V  ce(Sat) -Abfall für geringere Leitungsverluste
  • Geringe Schaltverluste
  • Einfache Parallelschaltfunktion durch positiven Temperaturkoeffizienten in V  ce (Sat)
  • Sehr weiche, schnelle Recovery anti-parallele Emitter gesteuerte HE-Diode
  • Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
  • Geringe EMI-Emissionen
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Sehr enge Parameterverteilung


 
Artikelstatus Aktiv
IGBT-Typ Graben
Spannung - Kollektor-Emitter-Ausfall (Max.) 1200V
Strom - Kollektor (Ic) (Max.) 75A
Strom - Kollektor Gepulst (Icm) 160A
VCE(ON) (max) @ VGE, IC 2,2V @ 15V, 40A
Leistung - Max 480W
Schaltenergie 5,25mJ
Eingangstyp Standard
Gate-Gebühr 192nC
TD (ein/aus) @ 25 C. 33ns/314ns
Testbedingung 600V, 40A, 12OHM, 15V
Rückkehrzeit (trr) 258ns
Betriebstemperatur -40 ~ 175 C (TJ)
Montageart Durchgangsbohrung
Paket/Karton TO-247-3
Gerätepaket Des Lieferanten PG-TO247-3
 

Produktlinie Des Unternehmens


IKW40N120T2 K40T1202 Transistor IGBT Chip







 


IKW40N120T2 K40T1202 Transistor IGBT Chip


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IKW40N120T2 K40T1202 Transistor IGBT Chip

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Zertifikate

IKW40N120T2 K40T1202 Transistor IGBT Chip

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