• IRF540PBF MOSFET 100V N-CH HEXFET
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IRF540PBF MOSFET 100V N-CH HEXFET

gestalten: hqfp64
Leitfähige Typ: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Halbleiter-IC
fertigung: vishay
d/C: 20+

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
IRF540PBF
Paket
To-220
Qualität
Original neues Original
Transportpaket
Box
Herkunft
China
HS-Code
8542390000
Produktionskapazität
1000000PCS

Produktbeschreibung

Beschreibung

IRF540PBF  Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-polig (3+Tab) TO-220AB

Mfr. Teil#: IRF540PBF

MFR.: VISHAY

Datenblatt:  IRF540PBF MOSFET 100V N-CH HEXFET(E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  IRF540PBF MOSFET 100V N-CH HEXFET

Qualität: 100% Original

Garantie: EIN JAHR
 

Produktattribut Attributwert Suchen Sie Ähnlich
Hersteller: Vishay  
Produktkategorie: MOSFET  
RoHS:  Details  
Technologie: Si  
Montageart: Durchgangsbohrung  
Paket/Karton: TO-220AB-3  
Polarität Des Transistors: N-Kanal  
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal  
Vds – Abflussquelle: 100 V  
Id - Kontinuierlicher Abflussstrom: 28 A  
Rds Ein – Widerstand Der Drain-Source: 77 MOHMS  
Vgs – Gate-Source-Spannung: - 20 V, + 20 V  
VGS th – Grenzwertspannung der Gate-Quelle: 4 V  
Qg – Gate-Ladung: 72 Öffner  
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C  
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C  
Pd - Verlustleistung: 150 W  
Kanalmodus: Verbesserung  
Verpackung: Rohr  
Marke: Vishay Semiconductors  
Konfiguration: Einzeln  
Abfallzeit: 43 ns  
Höhe: 15,49 mm  
Länge: 10,41 mm  
Produkttyp: MOSFET  
Anstiegszeit: 44 ns  
Serie: IRF  
Menge Der Werkseitigen Verpackung: 1000  
Unterkategorie: MOSFETs  
Transistortyp: 1 N-Kanal  
Typische Abschaltverzögerung: 53 ns  
Typische Einschaltverzögerung: 11 ns  
Breite: 4,7 mm  
Teil # Aliase: IRF540PBF-BE3  
Gewicht Des Geräts: 0,068784 oz
 
 
 

Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Designer die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz.

Das TO-220AB-Gehäuse ist universell für alle gewerblich-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die geringen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.

Hauptfunktionen

  • Dynamische DV/dt-Bewertung
  • Repetitive Avalanche Bewertet
  • 175 Grad Betriebstemperatur
  • Schnelles Umschalten
  • Einfache Parallelschaltung
  • Einfache Anforderungen An Das Laufwerk
  • Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG


 
 



IRF540PBF MOSFET 100V N-CH HEXFET


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Warum wir uns entscheiden

  • Das Hotel befindet sich in Shenzhen, dem elektronischen Marktzentrum Chinas.
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  • 24-Stunden-Service  

 

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