shape: | hqfp64 |
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Conductive Type: | Bipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Semiconductor IC |
fertigung: | infineon |
d/C: | 22+ |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
IRF7341TRPBF: MOSFET Array 55V 4,7A 2W SMD 8-SO
Mfr. Teil#: IRF7341TRPBF
MFR.: INFINEON
Datenblatt: (E-Mail oder Chat für PDF-Datei)
ROHS-Status:
Qualität: 100% Original
Garantie: EIN JAHR
Produktstatus
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Aktiv
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Technologie
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MOSFET (Metalloxid)
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Konfiguration
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2 N-Kanal (Dual)
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FET-Funktion
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Gate Für Logische Ebene
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Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
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55V
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Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
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4,7A
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Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
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50Mohm @ 4,7A, 10V
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VGS(th) (max) @ ID
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1V @ 250µA
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Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
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36nC @ 10V
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Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
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740pF @ 25V
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Leistung - Max
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2W
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Betriebstemperatur
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-55 ~ 150 C (TJ)
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Montageart
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Smd
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Paket/Karton
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8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90mm Breite)
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Gerätepaket Des Lieferanten
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8-SO
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Basisproduktnummer
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IRF734
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HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFETs bekannt sind, bietet dem Designer ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leitrahmen für verbesserte thermische Eigenschaften und Mehrfach-Matrizenfunktion modifiziert und ist somit ideal für eine Vielzahl von Anwendungen mit Leistungsanalge geeignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Geräte in einer Anwendung mit erheblich reduziertem Platinenplatz verwendet werden. Das Paket ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren ausgelegt. Eine Verlustleistung von mehr als 0,8W ist in einer typischen Anwendung für Leiterplattenmontage möglich
Hinweis: