• IRF7341TRPBF MOSFET 2N-CH 55V 4,7A 8-SOIC
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IRF7341TRPBF MOSFET 2N-CH 55V 4,7A 8-SOIC

shape: hqfp64
Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Semiconductor IC
fertigung: infineon
d/C: 22+

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Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
IRF7341TRPBF
Paket
SOIC8
Qualität
Original neues Original
Transportpaket
Box
Herkunft
China
HS-Code
8542399000
Produktionskapazität
1000000PCS

Produktbeschreibung

Beschreibung

IRF7341TRPBF:  MOSFET Array 55V 4,7A 2W SMD 8-SO

Mfr. Teil#: IRF7341TRPBF

MFR.: INFINEON

Datenblatt:  IRF7341TRPBF MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC(E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  IRF7341TRPBF MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Qualität: 100% Original

Garantie: EIN JAHR


 

Produktstatus
Aktiv
 
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
 
Konfiguration
2 N-Kanal (Dual)
 
FET-Funktion
Gate Für Logische Ebene
 
Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
55V
 
Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
4,7A
 
Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
50Mohm @ 4,7A, 10V
 
VGS(th) (max) @ ID
1V @ 250µA
 
Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
36nC @ 10V
 
Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
740pF @ 25V
 
Leistung - Max
2W
 
Betriebstemperatur
-55 ~ 150 C (TJ)
 
Montageart
Smd
 
Paket/Karton
8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90mm Breite)
 
Gerätepaket Des Lieferanten
8-SO
 
Basisproduktnummer
IRF734



HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFETs bekannt sind, bietet dem Designer ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leitrahmen für verbesserte thermische Eigenschaften und Mehrfach-Matrizenfunktion modifiziert und ist somit ideal für eine Vielzahl von Anwendungen mit Leistungsanalge geeignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Geräte in einer Anwendung mit erheblich reduziertem Platinenplatz verwendet werden. Das Paket ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren ausgelegt. Eine Verlustleistung von mehr als 0,8W ist in einer typischen Anwendung für Leiterplattenmontage möglich











IRF7341TRPBF MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC


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