• IRFR7440TRPBF TRANS MOSFET N-CH SI 40V DPAK
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IRFR7440TRPBF TRANS MOSFET N-CH SI 40V DPAK

gestalten: hqfp64
Leitfähige Typ: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Halbleiter-IC
fertigung: infineon
d/C: 22+

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Diamond-Mitglied Seit 2018

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
IRFR7440TRPBF
Paket
To-252
Qualität
Original neues Original
Transportpaket
Kasten
Herkunft
China
HS-Code
8542399000
Produktionskapazität
1000000PCS

Produktbeschreibung

Beschreibung

IRFR7440TRPBF: N-Kanal 40 V 90A (TC) 140W (TC) SMD PG-TO252-3

Mfr. Teil#: IRFR7440TRPBF

MFR.: INFINEON

Datenblatt:  IRFR7440TRPBF Trans MOSFET N-CH Si 40V DPAK(E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  IRFR7440TRPBF Trans MOSFET N-CH Si 40V DPAK

Qualität: 100% Original

Garantie: EIN JAHR

Produktstatus
Aktiv
 
FET-Typ
N-Kanal
 
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
 
Abfluss-zu-Quelle-Spannung (Vdss)
40 V
 
Strom - Dauerentleerung (ID) @ 25 C.
90A (TC)
 
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
6V, 10V
 
Rds Ein (Max.) @ Id, Vgs
2,4mOhm @ 90A, 10V
 
VGS(th) (max) @ ID
3,9V @ 100µA
 
Gate-Ladung (Qg) (Max.) @ Vgs
134 Öffner @ 10 V
 
Vgs (Max.)
±20V
 
Eingangskapazität (Ciss) (Max.) @ Vds
4610 pF @ 25 V
 
FET-Funktion
-
 
Verlustleistung (Max.)
140W (TC)
 
Betriebstemperatur
-55 ~ 175 C (TJ)
 
Montageart
Smd
 
Gerätepaket Des Lieferanten
PG-TO252-3
 
Paket/Karton
TO-252-3, DPAK (2 Ableitungen + Lasche), SC-63
 
Basisproduktnummer
IRFR7440

 

HEXFET® Power MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringsten Onresistor pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power MOSFETs bekannt sind, bietet dem Designer ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren konzipiert. Die Version mit geradem Kabel (Serie IRFU) ist für Durchgangsbohrungen geeignet. In typischen SMD-Anwendungen sind Verluststufen bis zu 1,5 Watt möglich.


Anwendung
Anwendungen mit gebürstetem Motorantrieb
Anwendungen für BLDC-Motorantriebe
PWM-invertierte Topologien
Batteriebetriebene Stromkreise
Halb- und Vollbrücken-Topologien
Anwendungen für elektronische Vorschaltgeräte
Synchrone Gleichrichteranwendungen
Resonanzmodus-Netzteile
ODER-ing und redundante Netzschalter
DC/DC- und AC/DC-Wandler








IRFR7440TRPBF Trans MOSFET N-CH Si 40V DPAK


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