MT40A2G8SA-062E:F DRAM DDR4 IC MT40A2G8SA-062E:F-TR MT40A2G8SA-062EIT:F 16Gbit MT40A4G4 MT40A2G8 MT40A1G16

• Anpassung: Verfügbar
• Leitfähiger Typ: Bipolar integrierter Schaltkreis
• Integration: GSI
• Modell Nr.: MT40A2G8SA-062E:F
• Betriebstemperatur: -55°C - 125°C
• Form: Flach
• Technik: Halbleiter-IC
• mfr.: Mikron
• d/C: 22+
• Paket: FBGA78
• Produktstatus: Aktiv
• Qualität: Original neues Original
• Transportpaket: Feld
• Spezifikation: Integrierte Schaltung
• Herkunft: China
• HS-Code: 8542399000
• Produktionskapazität: 1000000pcs

Produktbeschreibung

beschreibung

MT40A2G8SA-062E:F :  DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8bit, 1,6 GHz, FBGA, 78 Pins

Mfr. TEIL#: MT40A2G8SA-062E:F

Datenblatt:  (E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  

Qualität: 100% Original

Garantie: EIN JAHR

 

Speichertyp	Flüchtig
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM – DDR4
Speichergröße	16Gbit
Speicherorganisation	2G x 8
Speicherschnittstelle	Parallel
Taktfrequenz	1,5 GHz
Zykluszeit Schreiben - Word, Page	15ns
Zugriffszeit	19 ns
Spannung - Versorgung	1,14V ~ 1,26V
Betriebstemperatur	0 ~ 95 C (TC)
Montageart	Smd
Paket/Karton	78-TFBGA
Gerätepaket Des Lieferanten	78-FBGA (7,5 x 11)
Basisproduktnummer	MT40A2G8

Der DDR4 SDRAM ist ein dynamischer High-Speed-Arbeitsspeicher mit wahlfreiem Zugriff, der intern als 8-Bank-DRAM für die x16-Konfiguration und als 16-Bank-DRAM für die x4- und x8-Konfigurationen konfiguriert ist. Der DDR4 SDRAM verwendet eine 8N-Prefetch-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die 8N-Prefetch-Architektur wird mit einer Schnittstelle kombiniert, die zwei Datenworte pro Taktzyklus an den I/O-Pins überträgt. Ein Single-READ- oder WRITE-Vorgang für den DDR4 SDRAM besteht aus einer einzigen 8N-Bit breiten, viertaktigen Datenübertragung am internen DRAM-Kern und zwei entsprechenden n-Bit breiten, einhalbtaktigen Datenübertragungen an den I/O-Pins.


 

 

 

 

 

 

Zertifikate










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