PDTC114ET Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW SOT-23

• shape: hqfp64
• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• fertigung: nexperia
• d/C: 22+
• Modell Nr.: PDTC114ET
• Paket: SOT23
• Qualität: Original neues Original
• Transportpaket: Box
• Herkunft: China
• HS-Code: 8542399000
• Produktionskapazität: 1000000PCS

Produktbeschreibung

Beschreibung

PDTC114ET:  Bipolare Transistoren - vorgespannt PDTC114ET/SOT23/TO-236AB

Mfr. Teil#: PDTC114ET

MFR.: NEXPERIA

Datenblatt:  (E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:  

Qualität: 100% Original

Garantie: EIN JAHR
 

Konfiguration:	Einzeln
Polarität Des Transistors:	NPN
Typischer Eingangswiderstand:	10 kOhm
Typisches Widerstandsverhältnis:	1
Montageart:	SMD/SMT
Paket/Karton:	SOT-23-3
Kollektor- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V
Dauerstrom:	100 mA
Spitzenstrom des DC-Kollectors:	100 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Rolle
Verpackung:	Band Schneiden
Verpackung:	Rolle
Marke:	Nexperia
Höhe:	1 mm
Länge:	3 mm
Produkttyp:	BJTs - Bipolare Transistoren - vorgespannt
Menge Der Werkseitigen Verpackung:	3000
Unterkategorie:	Transistoren
Breite:	1,4 mm
Teil # Aliase:	934031010215
Gewicht Des Geräts:	0,000282 oz

1. Allgemeine Beschreibung NPN-Widerstandstransistor (RET) in einem kleinen SOT23 SMD-Kunststoffgehäuse. PNP-Ergänzung: PDTA114ET 2. Merkmale und Vorteile • Ausgangsstromfähigkeit von 100 mA • integrierte Vorwiderstände • vereinfacht Schaltkreisdesign • reduziert die Anzahl der Komponenten • reduziert die Pick-and-Place-Kosten 3. Anwendungen • Digitale Anwendung im Automobil- und Industriebereich • kostensparende Alternative für BC847-Serie in digitalen Anwendungen • Steuerung von IC-Eingängen • Schaltlasten

 

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