shape: | SMD |
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Conductive Type: | Unipolar Integrated Circuit |
Integration: | MSI |
Technics: | Thin Film IC |
fertigung: | ISSI |
d/C: | 17+ |
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IS61LV25616AL-10TLI: SRAM-Chip Async Single 3,3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II - Bulk
Paket: TSOP(II)-44
Mfr. Teil#: IS61LV25616AL-10TLI
MFR.: ISSI
Datenblatt: (E-Mail oder Chat für PDF-Datei)
ROHS-Status:
Qualität: 100% Original
Garantie: 180 Tage
Der ISSI IS61LV25616AL ist ein Hochgeschwindigkeits-4.194.304-Bit-RAM, das als 262.144 Worte mit 16 Bit organisiert ist. Es wird mit ISSI Hochleistungs-CMOS-Technologie hergestellt.dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Designtechniken liefert hochleistungsfähige und energiesparende Geräte. Wenn CE\ hoch (deaktiviert) ist, nimmt das Gerät den Modus astandby an, bei dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Die einfache Speichererweiterung erfolgt durch die Verwendung von Chip Enableand Output Enable Inputs, CE\ und OE\. Das aktive LOWWWrite Enable (WE)\ steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen der Erinnerung. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB)\ und LowerByte (LB)\. Der IS61LV25616AL ist im JEDEC standard44-poligen 400-mil SOJ, 44-poligen TSOP Typ II, 44-poligem LQFPund 48-poligem Mini BGA (8mm x 10mm) verpackt.
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