• Leistungsmessgeräte-Analysator IGBT MOSFET statische Testlösungen sic MOSFET Gan HEMT DC-Netzteil Semiconductor Curve Tracer äquivalent mit B1505A
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Leistungsmessgeräte-Analysator IGBT MOSFET statische Testlösungen sic MOSFET Gan HEMT DC-Netzteil Semiconductor Curve Tracer äquivalent mit B1505A

After-sales Service: 1 Year
Funktion: Test
Anzeige: Digital
Verwendung: Elektrische Komponenten Tester, Gas Sensor Tester, Vcsel Testing
Art: Resistance Tester
Umgebung: Raumtemperatur

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Gold Mitglied Seit 2021

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Hersteller/Werk

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
PMST
Garantie
Mit Garantie
Energiequelle
AC 85V-265V
Gewicht
> 10Kg
Installation
Direkt Verbunden
Kundenspezifische
Kundenspezifische
Transportpaket
Carton Box
Spezifikation
19′
Warenzeichen
Precise
Herkunft
China
HS-Code
9030390000
Produktionskapazität
100PCS/Month

Produktbeschreibung

Stromversorgungsanalysator IGBT MOSFET Static Test Solutions SiC MOSFET Gan HEMT DC-Netzteil Semiconductor Curve Tracer äquivalent mit B1505A
Einführung

Das statische Parameterprüfsystem für Leistungsgeräte integriert verschiedene Mess- und Analysefunktionen und kann die statischen Parameter von Leistungsgeräten (MOSFET, BJT, IGBT usw.) genau messen, die Spannung kann bis ZU 3kV betragen und der Strom kann bis zu 4KA betragen. Das System kann die statischen Parameter von Leistungsgeräten verschiedener Gehäusetypen messen und verfügt über die Eigenschaften von Hochspannung und hohem Strom, uΩ-Widerstand und PA-Strom genaue Messung. Unterstützung der Messung der Anschlusskapazität von Leistungsgeräten im Hochspannungs-Modus, wie Eingangskapazität, Ausgangskapazität, Rücktransfer-Kapazität usw.

Eigenschaften
  • Hochspannung: Unterstützung von bis ZU 3kV Hochspannungsprüfung;
  • Hochstrom: Unterstützt bis zu 4KA Hochstrommestung;
  • Hohe Präzision: Unterstützung von uΩ-Widerstand, PA-Strom und UV-Level-Präzisionsmessung;
  • Umfangreiche Vorlagen: Integrierte, umfangreiche Testvorlagen, die für Benutzer zur schnellen Konfiguration von Testparametern geeignet sind;
  • Konfigurationsexport: Unterstützt die Konfiguration von Exportparametern mit einem Schlüssel und die Testfunktion mit einem Tastendruck;
  • Datenvorschau und Export: Unterstützt grafische Benutzeroberfläche und Tabellenanzeige Testergebnisse und ein-Klick-Export;
  • Modulares Design: Das Innere nimmt modularen Aufbau Design, die frei konfiguriert werden kann und einfach zu warten;
  • Erweiterbar: Unterstützung der Erweiterung der Temperaturregelung Funktion, die bequem für die Überwachung der Betriebstemperatur des Systems ist;
  • Anpassbare Entwicklung: Es kann angepasst und entwickelt werden, je nach Benutzer Testszenarien;
Power Device Analyzer IGBT Mosfet Static Test Sic GaN Hemt DC Power Supply Semiconductor Curve Tracer Substitute B1505A




Technische Parameter
PMST -Systemkonfiguration Schlüsselparameter Anmerkungen
SMU der P-Serie PW REACH 30V/10A,300V/1A Prüfung der Gate-Charakteristik
CW -REICHWEITE 300V/0,1A,30V/1A
Min. Impulsbreite 200us
HCP -Serie Hochstrom-gepulste SMU PW REACH 30V/100A IGBT-Spannungsabfall beim Einschalten, Diode-instantane Durchlassprüfung
CW -REICHWEITE 10V/30A
Min. Auflösung 30uV/10pA
Min. Impulsbreite 80US
HCPL -Serie Hochstrom-Impulsquelle Single PW reach12V/1000A, unterstützt mehrere Sätze parallel.
Min. Impulsbreite 50us
Hochspannungsquelle der E -Serie
Hochspannungsquelle der E -Serie
CW -Reichweite 3000V/100mA IGBT -Durchschlagspannungsprüfung
Min. Auflösung 10mV/100pA
Messgenauigkeit 0,1 %
Brücke Frequenzbereich: 20Hz~1MHz Spannungsprüfung zwischen IGBT-Stufen
 Versorgungsspannung DC-Bias der Serie HVP 0~400V;
Versorgungsspannung DC-Bias der S-Serie 0~30V
Voreingestellter Bias-Widerstand  100kΩ
Matrix-Switch / Schaltungsschalter und sourcemeter-Schalter
Steuer-PC /  
Prüfvorrichtung Angepasst gemäß Gerätepaketformular  
 

Anwendungen:
Leistungsgeräte wie Dioden, Trioden, MOSFET, IGBTs, SICs, Gan


Kompositionen:  
Power Device Analyzer IGBT Mosfet Static Test Sic GaN Hemt DC Power Supply Semiconductor Curve Tracer Substitute B1505A

Werk:
Power Device Analyzer IGBT Mosfet Static Test Sic GaN Hemt DC Power Supply Semiconductor Curve Tracer Substitute B1505A
Power Device Analyzer IGBT Mosfet Static Test Sic GaN Hemt DC Power Supply Semiconductor Curve Tracer Substitute B1505A


FAQ:
1. F: Präzise ist direkte Fabrik oder Handelsunternehmen?
A: Precise ist eine Fabrik, und alle SMU R&D sind präzise Team und von Precise hergestellt.
 
2. Q:Muster Bestellung ist verfügbar?
  A: Ja, wir akzeptieren Musterbestellung.

3. Q: Liefern Sie Software für SMU-Betrieb?
  A: Ja, wir können es als Kundenanforderung entwerfen.
 
4. F: Was ist die Lieferzeit?
  A: Normalerweise ist es etwa 30 Tage, und es ist auch mit der bestellmenge verbunden.
 
5. F: Was ist die Garantie?
  A: Garantie beträgt 12 Monate.
 
6.Q: Was ist der Versandweg?
  A: Für Musterbestellung, in der Regel Versand durch internationale Express wie DHL, FEDEX, UPS, EMS und so weiter. Wenn die menge größer ist, ist auch per Flugzeug eine gute Wahl.



 

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Stammkapital
11111112 RMB
Blumenbeet
3222 Quadratmeter