10A 150V Diode für niedrige Schottky-Barriere Mbr10r150CT to-252

• Anwendung: Diode, Schaltnetzteil
• Batch Nummer: 2021
• Fertigungstechnologie: Discrete Device
• Material: Silizium
• Modell: Mbr30r100ct
• Paket: To-252
• Modell Nr.: Mbr10r150CT
• Typisieren: P-Type Semiconductor
• Spannung: 150V
• Aktuell: 10A
• Marke: Wxdh
• Transportpaket: Tape & Reel
• Warenzeichen: WXDH
• Herkunft: Wuxi, China
• HS-Code: 8541100000
• Produktionskapazität: 500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

 

SYMBOL	BEWERTUNG
VBR (V)	Min. 150	typ 175
IR(UA)25ºC	max. 50
VF (V) 25ºC	typ. 0,78	max. 0,80
IF(A) Single Chip-Paket	5,0
IF(A) Dual-Chip-Gehäuse	10,0

 

Funktionen

Hohe Sperrschichttemperatur

Niedriger Leckstrom

Niedriger Wärmewiderstand

Hochfrequenzbetrieb

Lawinenspezifikation

Anwendungen

Schaltnetzteil

Stromschaltungen

Allgemeine Verwendung

  

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markenname	RoHS	Paket	Menge
MBR10R150CT	TO-220	MBR10R150CT	PB-frei	Rohr	1000/Karton
MBRF10R150CT	TO-220F	MBRF10R150CT	PB-frei	Rohr	1000/Karton
MBR10R150CT	TO-252	MBR10R150CT	PB-frei	Band Und Rolle	2500/Karton