10A 800V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET F10n80 bis-220f

• Spannung: 800v
• Aktuell: 10A
• Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät
• Typ: n-Halbleiter
• Material: Metalloxid-Halbleiter
• Paket: To-220f
• Modell Nr.: F10N80
• Anwendung: Leistungsschaltkreis
• Modell: F10n80
• Chargennummer: 2021
• Marke: Wxdh
• Transportpaket: Tube
• Warenzeichen: WXDH
• Herkunft: Wuxi, China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: 500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

PARAMETER		SYMBOL	WERT		EINHEIT
			10N80/I10N80/E10N80	F10N80
Maximale DC-Spannung der Drian-Source-Quelle		VDS	800		V
Maximale Gate-Drain-Spannung		VGS	±30		V
Ablassstrom (kontinuierlich)		ID(T=25ºC)	10		A
		(T=100ºC)	6,3		A
Ablassstrom (Gepulst)		IDM	40		A
Single Pulse Avalanche Energy		EAS	700		MJ
Peak Diode Recovery dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Gesamtableitung	TA=25ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25ºC	Ptot	160	80	W
Temperatur Der Verbindungsstelle		Tj	150		ºC
Lagertemperatur		Tstg	-55~150		ºC

 

Funktionen

Schnelles Umschalten

Niedriger WIDERSTAND  

Niedrige Gate-Ladung

Geringe Kapazität Für Rückwärtsgang

100 % Single Pulse Avalanche Energy Test

100 % ΔVDS-Test

Anwendungen

LED-Netzschalter-Schaltkreis

Elektronisches Vorschaltgerät

Schaltnetzteil

Elektronischer Transformator

 

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markenname	RoHS	Paket	Menge
10N80	TO-220C	10N80	PB-frei	Rohr	1000/Karton
F10N80	TO-220F	F10N80	PB-frei	Rohr	1000/Karton
I10N80	TO-262	I10N80	PB-frei	Rohr	1000/Karton
E10N80	TO-263	E10N80	PB-frei	Band Und Rolle	800/Karton