• 12a 650V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET 12n65 to-220C
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12a 650V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET 12n65 to-220C

Fertigungstechnik: Diskrete Geräte
Material: Metalloxid-Halbleiter
Art: N-Typ-Halbleiter
Paket: To-220C
Anwendung: Netzschalter des Adapters und des Ladegeräts.
Modell: 12n65

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
12N65
Chargennummer
2022
Marke
Wxdh
Spannung
650V
Aktuell
12A
Transportpaket
Tube
Warenzeichen
WXDH
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 12n65 to-220c12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 12n65 to-220c12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 12n65 to-220c12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 12n65 to-220c
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
12N65/I12N65/E12N65 F12N65
Drian-to-Source-Spannung VDSS 650 V
Gate-to-Drian-Spannung VGSS ±30 V
Ablassstrom (kontinuierlich) ID(T=25ºC) 12 A
(T=100ºC) 7,5 A
Ablassstrom (Gepulst) IDM 48 A
Single Pulse Avalanche Energy EAS 550 MJ
Gesamtableitung TA=25ºC Ptot 2 W
TC=25ºC Ptot 150 42 W
Temperatur Der Verbindungsstelle Tj
-55~150
ºC
Lagertemperatur Tstg -55~150 ºC
 
Funktionen
Schnelles Umschalten
Verbesserte ESD-Fähigkeit
Niedriger WIDERSTAND (Rdson≤0.8Ω)
Niedrige Gate-Ladung (Typ. 40nC)
Niedrige Kapazität für Rückwärtsgang (Typ. 9,5pF)
100 % Single Pulse Avalanche Energy Test
100 % ΔVDS-Test
Anwendungen
Wird in verschiedenen Leistungsschaltungen für das System verwendet
Miniaturisierung und höhere Effizienz.
Netzschalterschaltung von Adapter und Ladegerät.
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
12N65 TO-220C 12N65 PB-frei Rohr 1000/Karton
F12N65 TO-220F F12N65 PB-frei Rohr 1000/Karton
I12N65 TO-262 DHB10N65 PB-frei Rohr 1000/Karton
E12N65 TO-263 DHD10N65 PB-frei Band Und Rolle 800/Karton
 12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 12n65 to-220c

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Anzahl der Angestellten
156
Gründungsjahr
2004-12-07