13A 500V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET F13n50 to-220f

• Spannung: 500V
• Aktuell: 13A
• Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät
• Typ: n-Halbleiter
• Material: Metalloxid-Halbleiter
• Paket: To-220f
• Modell Nr.: F13N50
• Anwendung: Leistungsschaltkreis
• Modell: F13n50
• Chargennummer: 2021
• Marke: Wxdh
• Transportpaket: Tube
• Warenzeichen: WXDH
• Herkunft: Wuxi, China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: 500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

PARAMETER		SYMBOL	WERT		EINHEIT
			13N50/I13N50/E13N50	F13N50
Maximale DC-Spannung der Drian-Source-Quelle		VDS	500		V
Maximale Gate-Drain-Spannung		VGS	±30		V
Ablassstrom (kontinuierlich)		ID(T=25ºC)	13		A
		(T=100ºC)	8		A
Ablassstrom (Gepulst)		IDM	52		A
Single Pulse Avalanche Energy		EAS	500		MJ
Peak Diode Recovery dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Gesamtableitung	TA=25ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25ºC	Ptot	170	56	W
Temperatur Der Verbindungsstelle		Tj	150		ºC
Lagertemperatur		Tstg	-55~150		ºC

 

Funktionen

Schnelles Umschalten

Niedriger WIDERSTAND ( Rdson≤0.55Ω)

Niedrige Gate-Ladung (Typ. 44nC)

Niedrige Kapazität für Rückwärtsgang (Typ. 9PF)

100 % Single Pulse Avalanche Energy Test

100 % ΔVDS-Test

Anwendungen

Wird in verschiedenen Leistungsschaltungen zur Miniaturisierung des Systems und zur Steigerung des Wirkungsgrades verwendet.

Netzschalter des Adapters und des Ladegeräts.

Elektronisches Vorschaltgerät

Elektronischer Transformator

 

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markenname	RoHS	Paket	Menge
13N50	TO-220C	13N50	PB-frei	Rohr	1000/Karton
F13N50	TO-220F	F13N50	PB-frei	Rohr	1000/Karton
I13N50	TO-262	I13N50	PB-frei	Rohr	1000/Karton
E13N50	TO-263	E13N50	PB-frei	Band Und Rolle	800/Karton