Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Silicon |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-247 |
Application: | Welding, UPS |
Model: | Dgc40f65m2 |
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PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNG | EINHEIT | ||
Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | 650 | V | ||
Gate- Emitter-Spannung | VGES | ±30 | V | ||
Kollektorstrom | IC(T=25ºC) | 80 | A | ||
Kollektorstrom | (TC=100ºC) | 40 | A | ||
Gepulster Kollektorstrom | ICM | 160 | A | ||
Diode Kontinuierlicher Vorwärtsstrom | WENN @TC = 100 GRAD CELSIUS | 40 | A | ||
Gesamtableitung | TC=25ºC |
Ptot
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280 | W | |
TC=100ºC |
Ptot
|
140 | W | ||
Temperatur Der Verbindungsstelle | Tj | -45~175 | ºC | ||
Lagertemperatur | Tstg | -45~175 | ºC |
Funktionen |
FS Grabentechnik, positive Temperatur
Koeffizient
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Niedrige Sättigungsspannung: VCE(Sat), Typ. = 1,9V
IC = 30A und Tj = 25 @ C.
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Extrem verbesserte Lawinenleistung
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Anwendungen |
Schweißen |
Dreistufiger Wechselrichter |
USV |
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle | |||||
Produktmodell | Pakettyp | Markenname | RoHS | Paket | Menge |
DGC40F65M2
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TO-247 |
DGC40F65M2
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PB-frei | ROHR | 1000/Karton |
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