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40A 650V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate Dgc40f65m2 to-247

Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Silicon
Type: N-type Semiconductor
Package: to-247
Application: Welding, UPS
Model: Dgc40f65m2

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
DGC40F65M2
Batch Number
2023
Brand
Wxdh
Spannung
650V
Aktuell
40A
Transportpaket
Tube
Warenzeichen
WXDH
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

40A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgc40f65m2 to-24740A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgc40f65m2 to-24740A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgc40f65m2 to-24740A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgc40f65m2 to-247
PARAMETER SYMBOL BEWERTUNG EINHEIT
 
Kollektor-Emitter-Spannung VCES 650 V
Gate- Emitter-Spannung VGES ±30 V
Kollektorstrom IC(T=25ºC) 80 A
Kollektorstrom   (TC=100ºC) 40 A
Gepulster Kollektorstrom ICM 160 A
Diode Kontinuierlicher Vorwärtsstrom WENN  @TC = 100 GRAD CELSIUS 40 A
Gesamtableitung TC=25ºC
Ptot
280 W
TC=100ºC
Ptot
140 W
Temperatur Der Verbindungsstelle Tj -45~175 ºC
Lagertemperatur Tstg -45~175 ºC
 
Funktionen
FS Grabentechnik, positive Temperatur
Koeffizient
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(Sat), Typ. = 1,9V
IC = 30A und Tj = 25 @ C.
Extrem verbesserte Lawinenleistung
Anwendungen
Schweißen
Dreistufiger Wechselrichter
USV
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
DGC40F65M2
TO-247
DGC40F65M2
PB-frei ROHR 1000/Karton
 40A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgc40f65m2 to-247

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Anzahl der Angestellten
156
Gründungsjahr
2004-12-07