• 4A 600V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n60 to-252
  • 4A 600V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n60 to-252
  • 4A 600V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n60 to-252
  • 4A 600V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n60 to-252
  • 4A 600V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n60 to-252
  • 4A 600V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n60 to-252
Favoriten

4A 600V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n60 to-252

Spannung: 600V
Aktuell: 4A
Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät
Typ: n-Halbleiter
Material: Metalloxid-Halbleiter
Paket: To-252b

Kontakt Lieferant

360° virtueller Rundgang

Diamond-Mitglied Seit 2021

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Hersteller/Werk & Handelsunternehmen

Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
D4N60
Anwendung
Netzschalter-Schaltkreis
Modell
D4n60
Chargennummer
2021
Marke
Wxdh
Transportpaket
Tape & Reel
Warenzeichen
WXDH
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

4A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet D4n60 to-2524A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet D4n60 to-2524A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet D4n60 to-2524A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet D4n60 to-252
 
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
4N60/I4N60/E4N60/B4N60/D4N60 F4N60  
Drian-Source-Spannung VDS 600 V
Gate-Drain-Spannung VGS ±30 V
Ablassstrom (kontinuierlich) ID(T=25ºC) 4 A
(T=100ºC) 2,5 A
Ablassstrom (Gepulst) IDM 16 A
Single Pulse Avalanche Energy EAS 250 MJ
Peak Diode Recovery dv/dt dv/dt 5 V/ns
Gesamtableitung TA=25ºC Ptot 2 2 W
TC=25ºC Ptot 75 30 W
Temperatur Der Verbindungsstelle Tj -55~150 ºC
Lagertemperatur Tstg -55~150 ºC
 
Funktionen
Schnelles Umschalten
Verbesserte ESD-Fähigkeit
Niedriger WIDERSTAND (Rdson≤2.5Ω)
Niedrige Gate-Ladung (Typ. 14,5nC)
Niedrige Kapazität für Rückwärtsgang (Typ. 4pF)
100 % Single Pulse Avalanche Energy Test
100 % ΔVDS-Test
Anwendungen
Wird in verschiedenen Leistungsschaltungen zur Miniaturisierung des Systems und zur Steigerung des Wirkungsgrades verwendet.
Netzschalter des Adapters und des Ladegeräts.
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
4N60 TO-220C 4N60 PB-frei Rohr 1000/Karton
F4N60 TO-220F F4N60 PB-frei Rohr 1000/Karton
B4N60 TO-251 B4N60 PB-frei Rohr 3000/Karton
D4N60 TO-252 D4N60 PB-frei Band Und Rolle 2500/Karton
I4N60 TO-262 I4N60 PB-frei Rohr 1000/Karton
E4N60 TO-263 E4N60 PB-frei Band Und Rolle 800/Karton
 4A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet D4n60 to-252

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an Lieferanten

*von:
*bis:
*Meldung:

Geben Sie zwischen 20 bis 4.000 Zeichen.

Das ist nicht das, wonach Sie suchen? Jetzt Beschaffungsanfrage Posten

Ähnliche Produkte nach Kategorie suchen

Startseite des Anbieters Produkte MOSFET HV-MOSFET 4A 600V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n60 to-252

Vielleicht Gefällt Dir

Kontakt Lieferant

360° virtueller Rundgang

Diamond-Mitglied Seit 2021

Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen

Hersteller/Werk & Handelsunternehmen
Anzahl der Angestellten
156
Gründungsjahr
2004-12-07