Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Metal-Oxide Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-252b |
Application: | LED Power Switch Circuit,Electronic Ballast |
Model: | D4n70 |
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PARAMETER | SYMBOL | WERT | EINHEIT | ||
4N70/D4N70/B4N70/I4N70/E4N70 | F4N70 | ||||
Maximale DC-Spannung der Drian-Source-Quelle | VDS | 700 | V | ||
Maximale Gate-Drain-Spannung | VGS | ±30 | V | ||
Ablassstrom (kontinuierlich) | ID(T=25ºC) | 4 | A | ||
(T=100ºC) | 2,5 | A | |||
Ablassstrom (Gepulst) | IDM | 16 | A | ||
Single Pulse Avalanche Energy | EAS | 190 | MJ | ||
Gesamtableitung | TA=25ºC | Ptot | 0,24 | 0,24 | W |
TC=25ºC | Ptot | 30 | 30 | W | |
Temperatur Der Verbindungsstelle | Tj | -55~150 | ºC | ||
Lagertemperatur | Tstg | -55~150 | ºC |
Funktionen |
Schnelles Umschalten |
Niedriger WIDERSTAND ( Rdson≤3.3Ω) |
Niedrige Gate-Ladung (Typ. 12,7nC) |
Geringe Kapazität für Rückwärtsgang (Typ. 2,7pF) |
100 % Single Pulse Avalanche Energy Test |
100 % ΔVDS-Test |
Anwendungen |
Wird in verschiedenen Leistungsschaltungen für das System verwendet Miniaturisierung und höhere Effizienz. |
Stromschalterschaltung von Elektronenballast und Adapter. |
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle | |||||
Produktmodell | Pakettyp | Markenname | RoHS | Paket | Menge |
4N70 | TO-220C | 4N70 | PB-frei | Rohr | 1000/Karton |
F4N70 | TO-220F | F4N70 | PB-frei | Rohr | 1000/Karton |
B4N70 | TO-251 | B4N70 | PB-frei | Rohr | 3000/Karton |
D4N70 | TO-252 | D4N70 | PB-frei | Band Und Rolle | 2500/Karton |
I4N70 | TO-262 | I4N70 | PB-frei | Rohr | 1000/Karton |
E4N70 | TO-263 | E4N70 | PB-frei | Band Und Rolle | 800/Karton |
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