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4A 700V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET D4n70 to-252b

Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Metal-Oxide Semiconductor
Type: N-type Semiconductor
Package: to-252b
Application: LED Power Switch Circuit,Electronic Ballast
Model: D4n70

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
D4N70
Batch Number
2022
Brand
Wxdh
Spannung
700V
Aktuell
4A
Transportpaket
Tube
Warenzeichen
WXDH
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

4A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet D4n70 to-252b4A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet D4n70 to-252b4A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet D4n70 to-252b4A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet D4n70 to-252b
PARAMETER SYMBOL WERT EINHEIT
4N70/D4N70/B4N70/I4N70/E4N70 F4N70  
Maximale DC-Spannung der Drian-Source-Quelle VDS 700 V
Maximale Gate-Drain-Spannung VGS ±30 V
Ablassstrom (kontinuierlich) ID(T=25ºC) 4 A
(T=100ºC) 2,5 A
Ablassstrom (Gepulst) IDM 16 A
Single Pulse Avalanche Energy EAS 190 MJ
Gesamtableitung TA=25ºC Ptot 0,24 0,24 W
TC=25ºC Ptot 30 30 W
Temperatur Der Verbindungsstelle Tj -55~150 ºC
Lagertemperatur Tstg -55~150 ºC
 
Funktionen
Schnelles Umschalten
Niedriger WIDERSTAND ( Rdson≤3.3Ω)
Niedrige Gate-Ladung (Typ. 12,7nC)
Geringe Kapazität für Rückwärtsgang (Typ. 2,7pF)
100 % Single Pulse Avalanche Energy Test
100 % ΔVDS-Test
 
Anwendungen
Wird in verschiedenen Leistungsschaltungen für das System verwendet
Miniaturisierung und höhere Effizienz.
Stromschalterschaltung von Elektronenballast und Adapter.
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
4N70 TO-220C 4N70 PB-frei Rohr 1000/Karton
F4N70 TO-220F F4N70 PB-frei Rohr 1000/Karton
B4N70 TO-251 B4N70 PB-frei Rohr 3000/Karton
D4N70 TO-252 D4N70 PB-frei Band Und Rolle 2500/Karton
I4N70 TO-262 I4N70 PB-frei Rohr 1000/Karton
E4N70 TO-263 E4N70 PB-frei Band Und Rolle 800/Karton
 4A 700V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet D4n70 to-252b

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Anzahl der Angestellten
156
Gründungsjahr
2004-12-07