4A 800V N-Kanal-Erweiterungs-Modus Leistungs-MOSFET F4n80 bis-220f

• Spannung: 800v
• Aktuell: 4A
• Fertigungstechnologie: Diskretes Gerät
• Typ: n-Halbleiter
• Material: Metalloxid-Halbleiter
• Paket: To-220f
• Modell Nr.: F4N80
• Anwendung: Netzschalter-Schaltkreis
• Modell: F4n80
• Chargennummer: 2021
• Marke: Wxdh
• Transportpaket: Tube
• Warenzeichen: WXDH
• Herkunft: Wuxi, China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: 500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

PARAMETER		SYMBOL	WERT		EINHEIT
			4N80/I4N80/E4N80	F4N80
Drian-Source-Spannung		VDSS	800		V
Gate-zu-Source-Spannung		VGSS	±30		V
Ablassstrom (kontinuierlich)		ID(T=25ºC)	4		A
		(T=100ºC)	2,5		A
Ablassstrom (Gepulst)		IDM	16		A
Single Pulse Avalanche Energy		EAS	460		MJ
Peak Diode Recovery dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Gesamtableitung	TA=25ºC	Ptot	2	2	W
	TC=25ºC	Ptot	75	30	W
Temperatur Der Verbindungsstelle		Tj	-55~150		ºC
Lagertemperatur		Tstg	-55~150		ºC

 

Funktionen

Schnelles Umschalten

Verbesserte ESD-Fähigkeit

Niedriger WIDERSTAND

Niedrige Gate-Ladung

Geringe Kapazität Für Rückwärtsgang

100 % Single Pulse Avalanche Energy Test

100 % ΔVDS-Test

Anwendungen

LED-Netzschalter-Schaltkreis

Elektronisches Vorschaltgerät

Elektronischer Transformator

Schaltnetzteil

 

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markenname	RoHS	Paket	Menge
4N80	TO-220C	4N80	PB-frei	Rohr	1000/Karton
F4N80	TO-220F	F4N80	PB-frei	Rohr	1000/Karton
I4N80	TO-262	I4N80	PB-frei	Rohr	1000/Karton
E4N80	TO-263	E4N80	PB-frei	Band Und Rolle	800/Karton