• 50A 1200V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate G50n120d to-264 IGBT
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50A 1200V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate G50n120d to-264 IGBT

Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Silicon
Type: N-type Semiconductor
Package: to-264
Application: Welding Machine, UPS
Model: G50n120d

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
G50N120D
Batch Number
2022
Brand
Wxdh
Spannung
1200V
Aktuell
50A
Transportpaket
Tube
Warenzeichen
WXDH
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT
PARAMETER SYMBOL BEWERTUNG EINHEIT
 
Kollektor-Emitter-Spannung VCES 1200 V
Gate- Emitter-Spannung VGES ±20 V
Kollektorstrom IC(T=25ºC) 100 A
Kollektorstrom   (TC=100ºC) 50 A
Gepulster Kollektorstrom ICM 200 A
Diode Kontinuierlicher Vorwärtsstrom WENN  @TC = 100 GRAD CELSIUS 25 A
Maximaler Durchlaufstrom Der Diode IFM 100 A
Gesamtableitung TC=25ºC Ptot 460 W
TC=100ºC Ptot 230 W
Temperatur Der Verbindungsstelle Tj -55~150 ºC
Lagertemperatur Tstg -55~150 ºC
 
Funktionen
Vcesat Niedrig
Niedrige Gate-Ladung
Ausgezeichnete Schaltgeschwindigkeit
Einfache Parallelschaltung durch positive Funktion
Temperaturkoeffizient in VCEsat
TSC≥10μs
Schnelle Wiederherstellung Vollstrom-Anti-Parallel-Diode
Anwendungen
Schweißen
USV
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
G50N120D TO-264 G50N120D PB-frei Rohr 300/Karton
 50A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50n120d to-264 IGBT

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Anzahl der Angestellten
156
Gründungsjahr
2004-12-07