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50A 650V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate Dhg50t65dlbw

Manufacturing Technology: Discrete Device
Material: Silicon
Type: N-type Semiconductor
Package: to-247
Application: Welding, UPS
Model: Dhg50t65dlbbw

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Grundlegende Informationen.

Modell Nr.
DHG50T65DLBBW
Batch Number
2023
Brand
Wxdh
Spannung
650V
Aktuell
50A
Transportpaket
Tube
Warenzeichen
WXDH
Herkunft
Wuxi, China
HS-Code
8541290000
Produktionskapazität
500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50t65dlbbw50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50t65dlbbw50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50t65dlbbw50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50t65dlbbw
PARAMETER SYMBOL BEWERTUNG EINHEIT
 
Kollektor-Emitter-Spannung VCES 650 V
Gate- Emitter-Spannung VGES ±30 V
Kollektorstrom   (TJ=100ºC) 50 A
Gepulster Kollektorstrom ICM 150 A
Diode Kontinuierlicher Vorwärtsstrom WENN  @TJ = 100 GRAD 100 A
Diode Impulsstrom
IFM
160 A
Gesamtableitung TC=25ºC
Ptot
50 W
TC=100ºC
Ptot
100 W
Temperatur Der Verbindungsstelle Tj -55~175 ºC
Lagertemperatur Tstg -55~150 ºC
 
Funktionen
FS Grabentechnik, positive Temperatur
Koeffizient
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(Sat), Typ. = 1,8V
IC = 50A und Tj = 25 @ C.
Extrem verbesserte Lawinenleistung
Anwendungen
Schweißen
Dreistufiger Wechselrichter
USV
 
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell Pakettyp Markenname RoHS Paket Menge
DHG50T65DLBBW
TO-247
DHG50T65DLBBW
PB-frei Rohr 1000/Karton
 50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dhg50t65dlbbw

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Anzahl der Angestellten
156
Gründungsjahr
2004-12-07