Manufacturing Technology: | Discrete Device |
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Material: | Silicon |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | to-247 |
Application: | Welding, UPS |
Model: | Dhg50t65dlbbw |
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PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNG | EINHEIT | ||
Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | 650 | V | ||
Gate- Emitter-Spannung | VGES | ±30 | V | ||
Kollektorstrom | (TJ=100ºC) | 50 | A | ||
Gepulster Kollektorstrom | ICM | 150 | A | ||
Diode Kontinuierlicher Vorwärtsstrom | WENN @TJ = 100 GRAD | 100 | A | ||
Diode Impulsstrom |
IFM
|
160 | A | ||
Gesamtableitung | TC=25ºC |
Ptot
|
50 | W | |
TC=100ºC |
Ptot
|
100 | W | ||
Temperatur Der Verbindungsstelle | Tj | -55~175 | ºC | ||
Lagertemperatur | Tstg | -55~150 | ºC |
Funktionen |
FS Grabentechnik, positive Temperatur
Koeffizient
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Niedrige Sättigungsspannung: VCE(Sat), Typ. = 1,8V
IC = 50A und Tj = 25 @ C.
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Extrem verbesserte Lawinenleistung
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Anwendungen |
Schweißen |
Dreistufiger Wechselrichter
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USV |
Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle | |||||
Produktmodell | Pakettyp | Markenname | RoHS | Paket | Menge |
DHG50T65DLBBW
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TO-247
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DHG50T65DLBBW
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PB-frei | Rohr | 1000/Karton |
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