50A 650V TRENCHSTOP Bipolarer Transistor mit isoliertem Gate, IGBT Dgc50f65m2 to-247

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Silicon
• Type: N-type Semiconductor
• Package: to-247
• Application: Welding, UPS
• Model: Dgc50f65m2
• Modell Nr.: DGC50F65M2
• Batch Number: 2023
• Brand: Wxdh
• volatge: 650V
• Aktuell: 50A
• Transportpaket: Tube
• Warenzeichen: WXDH
• Herkunft: Wuxi, China
• HS-Code: 8541290000
• Produktionskapazität: 500000000 Pieces/Year

Produktbeschreibung

PARAMETER		SYMBOL	BEWERTUNG		EINHEIT
Kollektor-Emitter-Spannung		VCES	650		V
Gate- Emitter-Spannung		VGES	±20		V
Kollektorstrom		IC(T=25ºC)	100		A
Kollektorstrom		(TC=100ºC)	50		A
Gepulster Kollektorstrom		ICM	150		A
Diode Kontinuierlicher Vorwärtsstrom		WENN  @TC = 100 GRAD CELSIUS	50		A
Diode Impulsstrom		IFpuls	200		A
Gesamtableitung	TC=25ºC	PD	833		W
	TC=100ºC	PD	417		W
Temperatur Der Verbindungsstelle		Tj	-55~175		ºC
Lagertemperatur		Tstg	-55~175		ºC

 

Funktionen

FS Grabentechnik, positiver Temperaturkoeffizient

Niedrige Sättigungsspannung: VCE_(Sat), Typ. = 1,8V
@ IC =50A und Tj = 25 Grad

Extrem verbesserte LawinenfähigkeitExtremely

Anwendungen

Schweißen

Dreistufiger Wechselrichter

USV

 

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markenname	RoHS	Paket	Menge
DGC50F65M2	TO-247	DGC50F65M2	PB-frei	Rohr	300/Karton